EUV關(guān)鍵字列表
1月26日，臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)，臺(tái)積電的Fab 18晶圓廠一期工程順利奠基。臺(tái)積電計(jì)劃2019年第一季度完成新工廠的建設(shè)，并開始設(shè)備遷入，2019年第二季度試產(chǎn)，2020年初投入5nm的批量生產(chǎn)。
錯(cuò)怪Intel了！10nm后制程升級(jí)難度驚人：逼近極限
隨著閘極越做越小，制程線寬不斷升級(jí)，由10年前的90nm，65nm一直升級(jí)到現(xiàn)在的14 16nm，10nm甚至7nm，摩爾定律都在有條不紊著指揮半導(dǎo)體行業(yè)前進(jìn)的路線。在使用EUV后，線寬的微縮，制程的升級(jí)對(duì)于缺陷和微粒污染的容忍度將大幅度降低。
每次半導(dǎo)體制程技術(shù)的升級(jí) 難度都遠(yuǎn)非我們能想象
隨著閘極越做越小，制程線寬不斷升級(jí)，由10年前的90nm，65nm一直升級(jí)到現(xiàn)在的14 16nm，10nm甚至7nm，摩爾定律都在有條不紊著指揮半導(dǎo)體行業(yè)前進(jìn)的路線。在使用EUV后，線寬的微縮，制程的升級(jí)對(duì)于缺陷和微粒污染的容忍度將大幅度降低。
為7納米制程做準(zhǔn)備 三星8納米LPP制程技術(shù)完成驗(yàn)證
根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，18日三星官方正式宣布已完成了8納米LPP制程技術(shù)的驗(yàn)證，不久之后可量產(chǎn)。未來三星自行研發(fā)的處理器，以及部分高通ARM架構(gòu)處理器，或許會(huì)采用最新的8納米LPP制程技術(shù)。
根據(jù)Semiconductor Engineering報(bào)導(dǎo)，EUV微影技術(shù)被視為晶圓制造產(chǎn)業(yè)的“救世主”，多家業(yè)者均希望靠該技術(shù)有效突破線寬瓶頸。關(guān)注電子行業(yè)精彩資訊，關(guān)注華強(qiáng)資訊官方微信，精華內(nèi)容搶鮮讀，還有機(jī)會(huì)獲贈(zèng)全年雜志
臺(tái)積電、ARM聯(lián)手：打造全球首款7nm芯片
臺(tái)積電今天宣布，計(jì)劃聯(lián)合ARM、Xilinx、Cadence，共同打造全球首個(gè)基于7nm工藝的芯片。更確切地說，這四家半導(dǎo)體大廠將采用臺(tái)積電7nm FinFET工藝，制造一款CCIX(緩存一致性互聯(lián)加速器)測(cè)試芯片，2018年第一季度完成流片。
臺(tái)積電要造第一款7nm芯片 明年下半年可投產(chǎn)
這個(gè)測(cè)試芯片是用來展現(xiàn)CCIX的各項(xiàng)功能，正面多核心高效能ARM CPU能通過互聯(lián)架構(gòu)與芯片外的FPGA加速器同步工作，同時(shí)臺(tái)積電也用它來測(cè)試自己的7nm工藝
三星公布7nm和11nm工藝制程 預(yù)計(jì)明年推出
三星是最早在移動(dòng)SoC領(lǐng)域推出10nm工藝的，甚至早于臺(tái)積電和英特爾，不過另外兩家已經(jīng)開始針對(duì)未來7nm工藝開始運(yùn)作了，不同的廠商都在關(guān)注更低尺寸的工藝制程。
Intel/臺(tái)積電命根子！FinFET工藝詳解：7nm是物理極限
臺(tái)積電在去年的IEDM上發(fā)布7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶體管樣品，雖然說臺(tái)積電的7nm工藝在技術(shù)節(jié)點(diǎn)與英特爾的10nm非常相似，但臺(tái)積電已經(jīng)大有趕超英特爾之勢(shì)。7nm制程的FinFET工藝最快要到明年才能面世，7nm也是FinFET工藝的極限，再往下的節(jié)點(diǎn)只能看EUV光刻機(jī)。
7nm光刻機(jī)終于達(dá)到量產(chǎn)水準(zhǔn)：Intel/三星狂砸錢搶購(gòu)
半導(dǎo)體進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)，最核心的技術(shù)之一就是EUV（極紫外）光刻，然而，設(shè)備僅僅來自荷蘭ASML（阿斯麥）一家。好消息是，在7月中旬的半導(dǎo)體設(shè)備展上，ASML宣布，公司已經(jīng)達(dá)成了最重要且長(zhǎng)期難以突破的里程碑：250瓦的EUV光源。
作為半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)頭羊的三星和Intel均表示，7nm的阻礙前所未有的大，所需要的EUV（極紫外光刻）光刻機(jī)商用問題十分嚴(yán)重。
據(jù)外媒報(bào)道，英特爾在14nm支撐上已經(jīng)推三代產(chǎn)品，至于10nm工藝也僅僅表示在今年進(jìn)行試驗(yàn)性生產(chǎn)。為什么會(huì)這樣呢，對(duì)此三星和英特爾的專家紛紛坦言，只要是受困于EUV（極紫外光刻）推進(jìn)的困難。
ASML 20億美金入股卡爾蔡司，合作研發(fā)EUV光刻系統(tǒng)
半導(dǎo)體制造工藝是集成電路產(chǎn)業(yè)的核心，未來摩爾定律是否還能主宰產(chǎn)業(yè)發(fā)展就得看半導(dǎo)體工藝是否能在10nm以下的工藝?yán)^續(xù)突破了，而在這個(gè)問題上
臺(tái)積電宣布10nm完工 7nm/5nm瘋狂推進(jìn)中
TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。TSMC表示今年底之前還會(huì)有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。
EUV+三五族半導(dǎo)體材料能否幫助英特爾重回摩爾定律
英特爾已規(guī)畫在7納米制程開始采用EUV技術(shù)，若是可以達(dá)到量產(chǎn)經(jīng)濟(jì)規(guī)模，則英特爾可望在7納米世代重新回到摩爾定律的循環(huán)。據(jù)了解，臺(tái)積電很有可能會(huì)在5納米世代采用InGaAs的三五族半導(dǎo)體材料，來維持摩爾定律的有效性。
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