英特爾在14納米及10納米制程推進出現延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業界及市場質疑：摩爾定律是否已達極限？不過，英特爾仍積極尋求在7納米時代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術世代交替的極紫外光（EUV），以及開始采用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦 （InP）等三五族半導體材料。
摩爾定律能否持續走下去，主要關鍵在于微影技術難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠，主要 采用多重曝光（multi-patterning）的浸潤式微影（immersion lithography）技術，但當制程技術走到10納米世代時，高密度的邏輯IC需要進行至少4次的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。
為了解決微影曝光制程的成本問題，半導體大廠近幾年已著手進行EUV微影技術的研發，近一年來，EUV技術雖然有明顯突破，但在量產上仍未達到該有的經濟規 模。不過，根據EUV設備大廠艾司摩爾（ASML）的說明，今年若能將每日曝光晶圓產能提高到超過1，500片，將有助于業界開始采用EUV技術。
英特爾已規畫在7納米制程開始采用EUV技術，若是可以達到量產經濟規模，則英特爾可望在7納米世代重新回到摩爾定律的循環。至于臺積電部份，已計畫在7奈米開始進行試產，若一切順利，將可在5納米世代開始導入EUV技術。不論英特爾或臺積電，EUV量產的時間點約落在2020年左右。
半導體材料也是延續摩爾定律的重要改變。英特爾已開始試著采用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦（InP）等三五族半導體材料，希望能夠在7納米之后進行材料上的改變，只要能重回摩爾定律的循環，英特爾的處理器發展策略就可回到二年循環的軌道。
臺積電16納米開始采用鰭式場效電晶體（FinFET）制程，而10納米及7納米世將延續采用FinFET技術，而到5納米之后，也已計畫更改半導體材料。據了解，臺積電很有可能會在5納米世代采用InGaAs的三五族半導體材料，來維持摩爾定律的有效性。
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