臺積電的先進智成一改以往研發單位一個制程完成，再開發下一個制程的流程，直接用兩個團隊平行研發，同時開發10奈米與7奈米制程。(圖／本報資料照片)
記者張煌仁／臺北報導
臺積電即將登陸于中國南京，打造以16奈米制程為主的12吋晶圓廠。除了希望借由在當地的服務，搶下中國客戶訂單，一舉擺脫三星與英特爾的糾纏之外。臺積電也借由更先進制程的開發，鞏固晶圓代工龍頭位置。其中，10奈米與7奈米將會是其中關鍵。
面對三星在先進制程技術上步步進逼，臺積電一改以往研發單位一個制程完成，移交給制造部門，再開發下一個制程的流程，直接用兩個團隊平行研發，同時開發10奈米與7奈米制程，而不是等10奈米做好，再進行7奈米的開發。這也是臺積電宣稱，從16奈米到10奈米要花將近兩年，但是從10奈米到7奈米預計只要花5季。目前進度，臺積電預估10奈米將在2016年底試產，2017年上半年投產。
據了解，臺積電研發中的10奈米制程技術，和16奈米FinFET+ 比較，在同樣耗電之下，10奈米制造的晶片產品速度快20%。而且在同樣速度之下，耗電少40%，可生產出的晶片數則是 16奈米FinFET+的2.1倍，預計2015年年底前進行制程技術驗證。
臺積電似乎克服了晶圓級封裝各種困難的良率問題，為先進手機晶片提供一個更薄的制程、更便宜、良好可靠度的技術解決方案。（圖／記者李鐘泉攝）
至于，7奈米制程技術上，臺積電的重點是選擇FinFET作為下一代新的電晶體結構，以及在不使用EUV曝光之下，如何讓浸潤式微影多重曝光可以順利推進到7奈米制程上。這相對以前是一個制程接著一個制程的研發，這次臺積電在研發 10奈米新制程的同時，也同步啟動研發下一代的7奈米制程技術，預計2017年第1季進行制程驗證。
據了解，7奈米將高度相容于10奈米的技術成果和制程設備，90%的10奈米設備可以繼續用在7奈米上。并可以利用10奈米學習到的制程能力，快速提升良率。加上臺積電似乎已經克服了晶圓級封裝（InFO）各種困難的良率問題，為先進手機晶片提供一個更薄的制程、更便宜、良好可靠度的技術解決方案。
因此，就由臺積電將制程推進至7到10奈米， A10處理器幾乎可以確定將從兩家供應商，又改回選擇臺積電成為獨家供應商。而且，加上臺積電在晶圓晶封裝技術上的突破，帶來效益將非常大。因為，不只是封裝本身的大量營收而已，還讓臺積電變成A10獨家供應商之后，其他客戶如高通和聯發科都可能讓臺積電吃下更多的訂單。
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