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卡位14/16nm市場 晶圓廠加碼FinFET研發

責任編輯:qzhao

2012-12-20 09:03:54

摘自:新電子

全球晶圓代工業者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產14奈米FinFET后,臺灣晶圓雙雄臺積電與聯電亦陸續公布FinFET制程發展...

全球晶圓代工業者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產14奈米FinFET后,臺灣晶圓雙雄臺積電與聯電亦陸續公布FinFET制程發展藍圖與量產時程表,希冀藉此一新技術,提供IC設計業者效能更佳的制造方案,搶占通訊與消費性電子IC制造商機。
鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業者角逐未來行動通訊市場的關鍵利器。為進一步提升晶片效能并縮小尺寸,各家晶圓代工業者皆已挾不同的制程技術積極研發FinFET架構,預計明后年即可開花結果,并開始挹注營收貢獻。 

在眾家晶圓廠中,又以臺積電在FinFET的研發進展最快(表1)。臺積電預估2013年6月即可開始提供客戶16奈米FinFET制程的晶圓光罩共乘服務(Cybershuttle),并于明年底開始試產,后年初正式量產,搶先卡位市場商機,藉此鞏固全球晶圓代工市場龍頭地位?!?br />
研發進度超前 臺積16奈米明年試產 

圖1 臺積電董事長暨總執行長張忠謀指出,臺積電16奈米FinFET制程量產時程可望提前,預計明年底開始試產。
臺積電董事長暨總執行長張忠謀(圖1)表示,盡管全球總體經濟狀況不甚理想,但是受惠于行動通訊市場需求強勁,目前臺積電包括65、40以及28奈米等先進制程的晶圓銷售量皆持續快速增長當中?!?br />
張忠謀進一步指出,目前20與16奈米制程技術進展已明顯加快,其中,20奈米已有約十五個客戶正進行投片(Tapeout)測試;16奈米研發時程則比先前預期更快,推出時間表將會比過往的制程更早,預估明年底試產,后年初即可開始放量?!?br />
另一方面,臺積電已于日前耗資新臺幣32億元標得竹南科學園區“園區事業專用區”兩筆土地,此用地未來將興建該公司18寸晶圓廠,并從事7奈米先進制程的研發,預計2016年開始動工興建,2017年相關研發設備將陸續進駐該廠?!?br />
臺積電今年資本支出約為85億美元,且新竹科學園區的Fab 12第六期廠房已開始裝機,有利20奈米明年初如期量產。張忠謀強調,明年臺積電的資本支出仍會持續增加,以擴增在先進制程上的實力?!?br />
事實上,臺積電今年第三季營收已再創佳績,其中先進制程的產品線貢獻最大。臺積電財務長暨資深副總經理何麗梅表示,28奈米制程出貨量較前一季多出一倍以上,占公司第三季晶圓銷售的13%;40奈米的營收占全季晶圓銷售的27%;而65奈米制程技術的營收則占全季晶圓銷售的22%??傮w而言,上述先進制程的晶圓銷售達到全季晶圓銷售金額62%。 

然而,對于今年第四季與明年初的景氣展望,臺積電仍是審慎以待。張忠謀認為,半導體供應鏈將在第四季開始進行存貨調整,因而影響晶圓制造需求,因此第四季與明年首度的成長幅度將向下微幅修正,但明年第二季后即可望恢復正常。

另一方面,聯電的14奈米FinFET制程技術亦將于2014年初開始試產,預計效能可較現今28奈米制程提升35?40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優勢,擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機?!?br />
導入FinFET制程技術 聯電14奈米后年亮相 

圖2 聯電副董事長孫世偉表示,14奈米FinFET制程技術將會是聯電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。
聯電副董事長孫世偉(圖2)表示,由于晶圓從28跨入20奈米制程以下的微縮過程中,勢必得使用雙重曝光(Double Patterning)微影技術才能實現,而此一技術無論是微影機臺或者人力研發等成本都相當高昂,因此造成許多出貨量不大的IC設計商不愿意投資大筆資金導入,間接使20奈米市場需求無法擴大。 

具備低功耗特性的FinFET制程技術,盡管仍無法省去雙重曝光微影技術的成本,但卻能大幅提升單位面積內電晶體的整體效能,降低IC設計商因雙重曝光微影技術所帶來的成本沖擊,因此遂成為各家晶圓代工業者爭相競逐的技術?!?br />
孫世偉進一步指出,在IBM FinFET技術授權的基礎下,聯電將跳過20奈米制程,直接跨入14奈米FinFET制程技術,藉此為通訊與行動運算領域客戶提供更具效能優勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發中,預計2014年初可完成驗證,并旋即進行試產。

然而,相較于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產16/14奈米FinFET,聯電量產時程顯然稍慢,如何后發先至遂成為業界關注焦點。孫世偉強調,盡管聯電在此一制程上的研發起步較晚,但相對FinFET制程所需的機臺制造技術亦較為成熟,且設備價格也較為便宜,再加上與IBM技術交流等助益,未來量產品質與時程都將可較競爭對手更符合客戶需求。

另一方面,聯電28奈米產品線則可望于年底量產,并于明年第一季開始貢獻營收。孫世偉補充,首波28奈米Porting產品在經過幾個月元件及制程參數調整后,良率已獲得顯著提升,且公司亦于第三季成功投片使用28奈米后閘極(Gate-last)高介電質金屬閘極(HKMG)制程的行動通訊產品,并陸續與客戶密切合作中。

對于各大晶圓廠皆預期第四季與明年初營收成長將趨緩,孫世偉表示,現今晶圓代工制造正處在庫存調整及景氣循環周期中,聯電預估此波庫存調整將持續至明年初,景氣回溫的脈動將取決于明年總體經濟、終端產品市場需求與新產品交替力道強弱;而該公司未來將持續擴大客戶層面,改善產品組合,并進一步提升產能調配的彈性來降低周期性波動所帶來的沖擊?!?br />
盡管全球半導體產業開始進入庫存調整階段,但臺灣IC制造產業仍可望在晶圓制造業者的帶領下逆勢成長,并在2013年達5.1%的成長率。尤其是未來臺積電若順利接下蘋果(Apple)A7處理器訂單后,更將有機會大幅帶動整體IC制造產業成長率向上攻頂。 

晶圓代工廠帶頭沖 臺灣IC制造業成長可期 

工研院產經中心資深產業分析師彭茂榮表示,今年受到全球經濟情勢不佳影響,全球各機構均陸續下修2012年半導體產業成長預測;現階段全球半導體供應鏈正面臨庫存問題、產能利用率下滑等不利因素,這些都將對明年產業發展增添變數,而各家半導體廠商亦對營運績效的預期提出警訊,顯見對2013年景氣展望并不看好。

然而,盡管產業界對明年半導體市場成長率抱持保守看法,但臺灣明年IC制造業成長表現仍將優于全球平均。根據工研院最新統計報告顯示,今年臺灣晶圓制造與記憶體制造產值分別為新臺幣6,467億元與1,793億元,占臺灣整體半導體產業將近50.7%的產值,而明年產值比重分布隨著臺積電、聯電與世界先進等晶圓業者的先進制程產品線出貨量提升后,亦可望隨之攀升?!?br />
彭茂榮進一步指出,尤其是臺積電今年晶圓產能正持續穩健擴張,加上該公司明年20奈米即將量產,可望爭取到蘋果下一代A7處理器等因素,皆將成為臺灣IC制造業明年成長主要動能?!?br />
彭茂榮補充,臺積電為持續吸引客戶下單,并搶攻蘋果處理器訂單,2012年研發經費已為2009年的兩倍,而資本支出更是2009年的三倍。預估2013~2014年間,臺積電極有可能獲得A7處理器代工訂單,且將占整體營收3?9%;三星(Samsung)掉單后,則將損失約30億美元的代工商機。 

事實上,晶圓代工產業早已成為臺灣IC制造業最重要的骨干,而臺積電亦憑藉領先的制程技術,正逐漸蠶食市場商機。彭茂榮分析,受惠于智慧型行動裝置滲透率持續提升、IDM委外需求增加以及中國大陸IC設計業者代工需求增加等因素,臺積電未來4年的營收年復合成長率(CAGR)可望大于10%,將持續帶動臺灣IC制造業產值再創佳績?!?br />
綜上所述,包括臺積電、聯電與格羅方德等晶圓制造業者正展開一場FinFET量產時程競賽,預計明、后年晶圓代工市場競爭勢必更加劇烈,而行動通訊晶片的效能亦可望藉此新制程技術而更上層樓,臺灣IC制造產值則將在臺積電與聯電帶領下持續擴大。

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