據外媒報道，英特爾在14nm支撐上已經推三代產品，至于10nm工藝也僅僅表示在今年進行試驗性生產。為什么會這樣呢，對此三星和英特爾的專家紛紛坦言，只要是受困于EUV（極紫外光刻）推進的困難。

　　英特爾三星說EUV光刻機仍面臨不少商用難題（圖片來自baidu）

英特爾以及三星等在加州舉辦的國際光電工程學會(SPIE)年度會議上表示，用于10nm以下芯片生產的關鍵技術或者說設備EUV（極紫外光刻）光刻機仍面臨不少商用難題。

三星表示去年底他們生產出了首款EUV光罩，瑕疵已經很少。不過，三星表示，他們仍然認為EUV可用于其7nm制程節點。

至于英特爾則是從1992年就著手開發，去年底為晶圓廠出貨其首款達到商用品質的EUV光罩，目前已經參與到14、10和7nm無缺陷網線生產。在現有的8個核心EUV計劃中，有6項計劃已經準備好或即將就緒。英特爾EUV計劃負責人Britt Turkot指出，用于覆蓋EUV晶圓的防塵薄膜仍在開發中，而用于檢測EUV光罩的新工具也還驗證中。

與三星激進的做法不同，英特爾表示需等待完全成熟后導入。英特爾EUV小組專家Britt Turkot稱，雖然其可作業時間超過了75%，但一旦運行，光罩問題就會層出不窮。

目前在最高端的沉浸式光刻機中，荷蘭ASML（阿斯麥）占有80%的份額，其中NXE 3350B是全部14套EUV系統中的絕對主力（累計6套），而其單價高達6億元人民幣，等同于一臺F35戰斗機的價格。

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