根據Semiconductor Engineering報導，EUV微影技術被視為晶圓制造產業的“救世主”，多家業者均希望靠該技術有效突破線寬瓶頸。不過專家表示，EUV技術發展進度不一，且目前仍有無法克服的限制，包括鏡片的可替換性，以及成像品質的疑慮，雖不致于成為“致命”缺點，但仍替產業發展投下不少變數。

EUV其實是多項技術的統稱，其中每個單項技術發展進度不一，需要克服的點也不一樣。舉例來說，用于反射EUV光束的鏡片可能產生像差，進而出現嚴重的背景耀斑。同樣的，如果鏡片上有缺陷，或者復雜的制程當中出現任何一點雜質，都可能導致晶圓表片品質受到影響：除此之外，還有散粒雜訊，重疊誤差等可能發生的問題，都可能導致產品良率不佳，甚至產線完全停擺。

而在現行的浸潤式微影技術(immersion lithography)中，光罩跟掃描器是可以互相置換的，同一個光罩可以適用在不同掃描器上，但EUV技術則不然，有時換了一個光罩便會出現像差的問題。換句話說，同一個掃描器換了不同的光罩，有時會出問題，有時卻不會，確切原因至今仍未知，更遑論解決之道，成為制作過程當中很令人頭痛的變因。

不少業者人士從2016年陸陸續續發現這個問題。為了達成臨界尺寸的一致性，有人提出采用光學接近修正(Optical Proximity Correction) 的方式，不過每一個光罩還是配一個特定的掃描器，任意置換可能還是會出狀況。歐洲最大半導體企業，同時專門主攻EUV技術的ASML則推出新系統NXE:3400B，加入不少改良試圖解決這個問題，目前已經出貨了，但實際使用成效如何，目前還沒有可信賴的數據可供參考。

另外一個問題就是散粒雜訊。這個問題由來已久，早在100年前德國物理學家Walter Schottky就已經提出。不過在EUV微影技術中，每道雷射會發出的光子數都不一定，產生的化學反應無法事先預測，轉換而成的電子數量就更難以掌握，對制程跟品質會有重大影響。在以往制造過程中，你可能有3倍精準度，99.75%的精準度就很不錯了;但如果要降至3納米的標準，可能需要8倍精準度，任何一個節點或環節稍有誤差，就會影響晶圓廠的產能。

當然就設計的觀點看，理想狀況可以把每個環節當中可能出現的問題、或殘留的雜質給挑出來，但那需要多少時間?這也是半導體產業的重要關鍵，就算你可以制造完美無缺的晶圓，但為了達成這個目標，整座廠究竟有多少時間是全力生產?還是在花時間糾錯?當然，隨著工具和運算能力的進步，這些問題不是沒有機會克服，但在EUV被討論的沸沸揚揚之際，它的可行性跟實際應用價值，也需要更理性冷靜評估。