隨著閘極越做越小，制程線寬不斷升級，由10年前的90nm，65nm一直升級到現在的14/16nm，10nm甚至7nm，摩爾定律都在有條不紊著指揮半導體行業前進的路線。但是隨著源極和汲極之間的距離越來越短，半導體工藝的極限逐漸顯露出來。大多數人都發現了，升級到10nm和7nm所遇到的困難不是捂個被子睡個覺醒來就能解決的，因為除了技術原因還有諸多逐漸浮現出來的不可控因素。

在使用EUV后，線寬的微縮，制程的升級對于缺陷和微粒污染的容忍度將大幅度降低。

制造工具是決定圓晶良品率的關鍵，工具在沉積，蝕刻或清潔過程中有可能受到微粒物污染，這些顆粒物會從上一個生產步驟流入到下一個生產步驟，工藝不一致使得圓晶的特征形狀，覆蓋層和CD（特征尺寸）有偏差，從而導致大范圍缺陷。

給定類型的工藝工具可能彼此不匹配，繼而在通過不同工藝工具生產的圓晶之間產生差異，所有這些問題都會影響產量。

上述的制造過程所造成的差異會成為一個很麻煩的問題，如何理解這個困境？

比如有兩臺打字機，型號價格外觀都一樣，但因裝配環境，零件精度等因素會導致手感有細微差別，因此即使是相同型號的EUV光刻機，有了正確的配置文件，強度恰好的光源，一致的稀有氣體純度，也需要做一些后期工作保證生產結果相同。

換到10、7nm工藝制程的半導體產品上，只要在生產時有個1、2nm的差錯，都有可能造成不可估量的損失。

制程的每一次升級，制造難度都是呈指數級上升，現在我們聽到的工藝名詞最多也只能去到3nm，這是因為到了3nm節點上EUV光刻的隨機性將增大，很難控制好EUV線寬邊緣粗糙度（LER），影響CD和EPE。

同時摩爾定律也會在這個節點附近失效，接下來就是1nm以下的次納米新技術和新材料的天下。