不過中國反壟斷機構(gòu)早已著手調(diào)查三星、美光、海力士是否存在操縱價格，如果裁定三大巨頭存在價格壟斷行為，那么可能罰金將在8億美元-80億美元之間，相信這也能起到一定的威懾作用。而現(xiàn)在又傳出消息，中國的DDR4內(nèi)存、3D 閃存芯片等即將量產(chǎn)，如果屬實，那意味著國產(chǎn)內(nèi)存、閃存從明年開始將會有實質(zhì)性的成果。
據(jù)中國臺灣電子時報網(wǎng)站引述業(yè)內(nèi)人士稱，2019年，中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)，它們分別是長江存儲、福建晉華集成電路公司(以下簡稱晉華公司)，以及安徽合肥Innotro存儲公司。
紫光旗下的 YMTC 長江存儲此前對外披露已經(jīng)獲得了第一個閃存芯片訂單，用于生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。此外，長江存儲正繼續(xù)研發(fā)64層3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。
消息人士稱，到2020年，長江存儲的閃存芯片產(chǎn)能將提高到月處理10萬片晶圓。未來隨著三條生產(chǎn)線全部啟用，該公司的閃存月產(chǎn)能將提高到35萬片到40萬片晶圓。
跟長江存儲不同的是，晉華公司和Innotron主要負責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)開始了8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片的試生產(chǎn)，而后者預(yù)計明年量產(chǎn)19nm技術(shù)生產(chǎn)的8Gb DDR4內(nèi)存芯片。
晉華公司此前表示，希望在今年底之前，將晉華和臺灣聯(lián)華電子共同開發(fā)的第一代DRAM內(nèi)存生產(chǎn)工藝投入使用。
不過，晉華的合作方聯(lián)電目前跟美光公司正在打?qū)＠麘?zhàn)，雖然福州法院已經(jīng)發(fā)布針對美光的禁售令，要求將涉嫌晉華公司專利的26種產(chǎn)品在中國市場停止銷售，晉華和聯(lián)電也算取得初步勝利，但是最終是否會影響到晉華的投產(chǎn)計劃還是未知數(shù)。
最近有報道稱，合肥Innotron公司已經(jīng)開始了8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片的試生產(chǎn)，不過該公司官方尚未對外發(fā)布消息。此前Innotron公司對外展示了使用19nm技術(shù)生產(chǎn)的8Gb DDR4內(nèi)存芯片工程樣片，該產(chǎn)品預(yù)計于 2018 年底上市，計劃于 2019 年上半年正式量產(chǎn)。
如果以上消息屬實，那的確是件好事!讓大家看見了國產(chǎn)內(nèi)存在研發(fā)制造方面的突破。這也勢必能打破巨頭間的壟斷，全球內(nèi)存閃存芯片市場的價格有望出現(xiàn)下降。不過我們還是需要認清現(xiàn)實，就比如目前長江存儲的32層3D閃存的產(chǎn)能產(chǎn)能問題，晉華/聯(lián)電與美光公司的專利戰(zhàn)影響，以及合肥Innotron公司也沒有證實是否開始正式生產(chǎn)等一系列問題。但從另一個角度看，留給國產(chǎn)存儲廠商的進步空間還很大。
無論如何，夢想還是要有的，萬一實現(xiàn)了呢?就比如有業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，從2020～2021年起，中國存儲產(chǎn)業(yè)將開始取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)......
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