據(jù)外媒報道，美光（Micron）正整備于明年為市場帶來GDDR6顯存，報道稱GDDR6將比主流的GDDR5快上一倍，速度在10-14GB/s左右。
當(dāng)前主流的4GB GDDR5顯存大多在7Gb/s（8GB芯片則在8Gb/s）左右。GDDR6顯存的形狀仍與GDDR5相似，因此可以減輕設(shè)計和制造過程中的成本和復(fù)雜性。
不過需要指出的是，在類似尺寸的情況下，高帶寬內(nèi)存（HBM）早就實現(xiàn)了較GDDR5翻倍的性能。此外，GDDR6不僅無法做到HBM那樣高效、也無法帶來相同級別的延遲。HBM 2.0也將在2016年的某個時候到來，屆時它又能夠借著更強性能和更高效率來繼續(xù)碾壓GDDR6了。
京公網(wǎng)安備 11010502049343號