作為最老資歷的PC組成部件，內存及內存存儲體系已經擁有了幾十年的歷史，其漫長的發展過程曾伴隨數次重要的變革，但縱觀這些變革，無論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無法與即將發生的這場革命相提并論，這場革命的名字，叫堆疊內存。

目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內存還依標準不同還劃分成了兩大陣營，分別是海力士+AMD支持的HBM（High Bandwidth Memory）以及Intel支持、鎂光/三星主導的HMC（Hybrid Memory Cube）聯盟。

AMD的Fury顯卡是全球首款使用HBM顯存的產品，明年海力士會拿出第二代。而在另一邊，美光正在研發第三代HMC。

美光稱，三代HMC可以實現多片DRAM+Logic Die與SoC集成，首發產品是Intel Xeon Phi，代號“Knights Landing”。

雖然本次沒有透露技術指標，但目前面市的2GB、4GB HMC內存采用的4Gb顆粒數據傳輸速率是15Gb/s，帶寬最高160GB/s，明年至少會翻倍。

不過，三星現在也“倒戈”到了HBM，HMC就剩美光孤軍奮戰，盡管HMC相較HBM有不少優點，但能否流行起來仍面臨很大考驗。