IBM聯(lián)手鎂光共同開發(fā)混合存儲(chǔ)立方HMC

鎂光將與IBM合作，并使用IBM提供的TSV技術(shù)(硅穿孔)來開發(fā)混合存儲(chǔ)立方(HMC)芯片，如果量產(chǎn)成功，將帶來存儲(chǔ)技術(shù)的革命。

由于在存儲(chǔ)芯片堆疊時(shí)使用了TSV技術(shù)，相同面積的芯片將獲得10倍于傳統(tǒng)芯片的存儲(chǔ)容量。與此同時(shí)，由于采用了某些內(nèi)建機(jī)制，傳輸數(shù)據(jù)消耗的能量將減少70%，傳輸速度也將提升到標(biāo)準(zhǔn)DDR3芯片的15倍左右。現(xiàn)有產(chǎn)品原型的帶寬就已高達(dá)128GB/s，為高端DDR3閃存?zhèn)鬏斔俣鹊?0倍，最終成品還會(huì)更高。

IBM會(huì)在紐約州東菲什基爾(East Fishkill)的工廠，加工將采用IBM的32nm HKMG工藝，有關(guān)其TSV技術(shù)的更多細(xì)節(jié)將在近日的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上公布。

根據(jù)官方解釋，HMC內(nèi)存最初將定位于工業(yè)企業(yè)服務(wù)器市場(chǎng)，但隨著技術(shù)的發(fā)展和成本的降低終將進(jìn)入消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)。