低功耗、高容量并降低電路板占用空間，在這份優(yōu)勢清單當中，AMD公司為其即將推出的高帶寬內(nèi)存（簡稱HBM）架構(gòu)下足了宣傳功夫。

AMD公司此前已經(jīng)在一份白皮書中對HBM的細節(jié)情況作出了一番粗略說明，目前這套架構(gòu)即將開始在部分Radeon 300系列顯卡當中出現(xiàn)，同時也將作為AMD公司尚正處于規(guī)劃當中的高性能計算集群化發(fā)展戰(zhàn)略的組成部分。

除了功耗降低之外，新機制也將減少自身在垂直堆棧當中的占用空間：這套方案將利用硅通孔實現(xiàn)晶粒與晶粒間的連通，而微焊點則負責(zé)實現(xiàn)硅通孔間的物理隔離。

各硅通孔貫通整塊芯片并達至邏輯晶粒，最終通過中介層接入封裝基板。該中介層的作用是實現(xiàn)面向CPU或者GPU的快速連接，AMD公司宣稱其性能表現(xiàn)“與芯片集成內(nèi)存幾乎沒有區(qū)別”。

與此同時，這樣的性能表現(xiàn)只需更低時鐘速率即可實現(xiàn)，在HBM上需500 MHz，而在GDDR5上則需要1.75 GHz，再配合上1.3伏工作電壓（GDDR5為1.5伏）意味著新規(guī)范能夠?qū)崿F(xiàn)50%的功耗縮減，且一舉將每瓦帶寬提升至過去的三倍（HBM為每瓦每秒35 GB，GDDR5則為每瓦每秒10.66 GB）。

AMD公司表示，更小物理尺寸在功耗節(jié)約與性能提升方面帶來的另一大優(yōu)勢在于，HBM內(nèi)存將能夠與CPU/GPU一樣被集成在同一基板之上。

HMB能夠像處理器那樣將內(nèi)存旋轉(zhuǎn)在同一基板之上

Hothardware網(wǎng)站認為，采用這一技術(shù)的首款樣品將于今年六月隨AMD的下一代GPU一同亮相。