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AMD最頂級GPU核心透視:HBM秘密在此

責任編輯:editor007

作者:萬南

2015-11-05 20:31:28

摘自:驅動之家

HBM顯存所采用的TSV(硅穿孔)技術本質上就是在保證結構強度的前提下在芯片(硅)上直接垂直通孔。現在希望的就是除了海力士,三星也能加快量產HBM,明年再升級顯卡是這將成為一個更為重要的參考因素。

雖說目前的消息是,AMD和NVIDIA明年的主流級別的顯卡會使用GDDR5X,也就是美光獨家的通過提高預取數據位寬(從8位提升到了16位)的方法來提升帶寬,突破目前GDDR5的瓶頸,但旗艦高端產品必然還是使用HBM

AMD已經拿出的三款Fiji核心的顯卡FuryFury XR9 Nano,都是使用的一代HBM,由AMD傾盡8年心血和SK海力士聯合打造第一次就帶來了512GB/s的帶寬、4096bit超高位寬

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近日,Chipworks也把自己對Fiji核心的X光透視拿了出來,Fiji XT這顆核心的“內在美”首次展現在我們面前。

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根據官方資料,Fiji面積為596平方毫米,是AMD迄今造出來的最龐大GPU

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和Tonga一比大小一目了然。因為是一代HBM,所以集成了4顆HBM顯存,每一顆都采用四層Die進行堆疊,每個Die的容量為2Gb(256MB),因此每顆容量為1GB、1024bit內存控制器,總的顯存容量就是4GB、位寬4096

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不同于GDDR5是“蓋平方”,3D堆疊的HBM可以理解為“蓋樓房”。這也是整個HBM最大難點,即如何實現內存控制體系的互聯

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HBM顯存所采用的TSV(硅穿孔)技術本質上就是在保證結構強度的前提下在芯片(硅)上直接垂直通孔。通孔過程看似簡單,但技術層面的進展一直相當不順利。無論存儲還是邏輯芯片的結構及加工過程都相當復雜,這注定了芯片本身的脆弱性,想要在不影響芯片強度以及完整性的前提下在一塊DRAM顆粒上打洞,而且是不止一個的孔洞,這件事兒的具體技術細節根本無需討論,光是想想就已經很難了。

這種垂直互聯不僅距離更短而且延遲更低,這是HBM顯存的一大優勢。

現在希望的就是除了海力士,三星也能加快量產HBM,明年再升級顯卡是這將成為一個更為重要的參考因素。

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