CMOS圖像傳感器(CIS)市場近年因智能手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫療和安防監控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年增長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS芯片商正競相展開技術布局，期進一步擴大市場占有率。
CMOS圖像傳感器市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole指出，智能手機雖占現今CIS市場應用大宗，但汽車、醫療和安防監控等新興應用需求已開始涌現，可望驅動未來CIS市場持續成長，預估2020年市場營收將達162億美元。
看好CIS后勢成長潛力，CIS大廠已奮力投資設計與制造，以壯大市場地位，而新廠商也爭相卡位。
此外，特斯拉(Tesla)、日產(Nissan)與福特(Ford)等汽車制造商也已投入車用CIS布局，未來車用CIS市場將是大商機，Yole預估，2020年車用CIS營收可達8億美元，因此不少CIS廠商已摩拳擦掌積極搶進。
事實上，部分CIS應用市場面臨衰退，譬如功能手機相機和數碼相機，已漸被智能手機相機取代，導致近年CIS產業購并事件頻傳，2014年有安森美(ONSemiconductor)并Aptina，而日前則有中資集團并豪威(OmniVision)。
CIS市場三分天下，索尼穩居龍頭寶座
2014年全球CMOS圖像傳感器總營收約達88億5000萬美元;其中，索尼(Sony)以27%的占比蟬聯第一，與第二名三星(Samsung)的市占差距由2012年的3%拉大至8%;而豪威則以17%暫居第三(圖1)。
工研院IEK零組件研究部分析師謝孟玹指出，CIS市場由索尼、三星及豪威三分天下，呈現大者恒大的局面
由上可知在CIS市場中，索尼獨占鰲頭，遙遙領先其他選手，而三星、豪威緊追在后，新廠商如格科微(Galaxycore)、賽麗康(Siliconfile)則是后起之秀。
工研院產經中心(IEK)零組件研究部分析師謝孟玹(圖2)觀察，目前CIS市場呈現三分天下的局面。索尼因為集技術、產品和市場優勢于一身，加上其CIS不僅供應蘋果高端手機，也供應華為、聯想和中興的高端手機，因而2014年CIS市占率成長至27%;三星的CIS可供Galaxy系列手機使用，加上三星在工藝和設計技術成熟，促使其在市占率拿下亞軍。
排名第三的豪威，其被購并前已布局中國市場，今年初由清芯華創投資管理有限公司、中信資本、金石投資組成的中資集團以19億美元收購。豪威被中資集團購并后，可望受惠中國扶植半導體的政策，有機會和三星廝殺第二名寶座。
值得一提的是，豪威過去是臺積電轉投資之采鈺和精材公司的CIS客戶，因此當豪威被中資集團購并后，外界揣測臺灣CIS廠商和臺積電在CIS方面將受沖擊。謝孟玹則認為，豪威仍有可能將中高端產品委托臺積電制作，同時臺積電可藉爭取其他CIS廠商訂單，維持自身優勢。
面對索尼、三星、豪威三足鼎立的市場局面，其他中小型CIS廠商又該如何在競爭激烈的市場中尋得立足之地?對此，謝孟玹以2014年安森美并購Aptina舉例，Aptina不像索尼、三星，擁有完整技術產業鏈，亦未具可穩定供應的下游終端產品，也不像豪威有資金和政策支持，但Aptina與安森美合并后，不僅可擴大規模，亦可轉攻車用CIS市場。
雖然Aptina在2014年市占率下滑8%，但因車用產品設計導入周期長，謝孟玹認為，這是Aptina布局車用市場的過渡期，隨著CIS在汽車應用漸增，Aptina若積極布局車用市場，其未來表現仍受期待。
中小型CIS廠另辟獲利模式
除了上述購并一途，其他CIS廠商也可藉由和其他廠商合作，整合CIS制造產業鏈，為產品加分。譬如佳能(Canon)跟尼康(Nikon)，因應數碼相機市場日趨下滑，便利用整合元件制造商(IDM)模式重奪優勢;其他相似例子還有Panasonic和以色列晶圓代工廠TowerJazz聯手，助益Panasonic研究高端產品;而SK海力士則藉收購賽麗康，搖身一變為整合元件制造商，有助發展CIS。
然而，也有部分CIS廠商為提升制程能力或節省成本，改采輕晶圓廠(Fab-lite)/無晶圓廠半導體(Fabless)模式來開發產品，舉例而言，意法半導體正將CIS分包給聯電;其他高端產品廠商像Dalsa、e2v、CMOSIS和Forza亦將產品分包給TowerJazz;而豪威、Galaxycore、立耀電子則采無晶圓廠模式，通過與臺積電等專業晶圓代工廠合作。
3DBSI技術嶄露頭角
面對全球CIS廠商大者恒大的情況，其他中小型廠商除了經由購并或外包產品等策略外，也積極藉由建立獨特的技術和市場定位，開創新的發展空間。謝孟玹觀察，臺灣CIS廠商如原相、恒景、聯詠、晶相等廠商，已朝行車記錄器、虛擬實境、無人機、機器人、光學、監控和居家等其他應用領域擴展，期以多元客制化來因應CIS市場變化。
另一方面，CIS廠商也可藉由提升產品性能，來因應市場環境的波濤洶涌。謝孟玹表示，增進CIS性能可從分辨率、像素尺寸和功耗三方面著力，目前像素尺寸多為1.4微米-1.1微米，未來將朝向1.0-0.9微米，使分辨率可達1300-2000萬像素。
但分辨率與像素尺寸/功耗往往是一體兩面，換句話說，當分辨率變高時，將導致像素尺寸變大、功耗升高，為改善上述問題，現階段CIS技術逐漸從背照式感光元件(BSI)轉向3DBSI，以兼顧分辨率高、尺寸小和低功耗。
謝孟玹補充，現在已有研究Hybrid3DBSI技術，希望省略3DBSI的硅通孔(TSV)過程，進而可更降低成本。
京公網安備 11010502049343號