美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
美思迪賽半導(dǎo)體透露，該多協(xié)議IC主要針對(duì)45W以下的AC-DC USB PD adapter應(yīng)用進(jìn)行了深度優(yōu)化，MIX-DESiGN美思迪賽MX5420支持18W-45W不同輸出電壓電流的應(yīng)用。我們此次測(cè)試拿到的方案是一款超簡(jiǎn)潔的18W PD3.0充電器DEMO，仔細(xì)了解該芯片后，發(fā)現(xiàn)MX5420控制器除了外圍電路超簡(jiǎn)潔外，其它功能亮點(diǎn)頗多。
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
一、PD3.0+多協(xié)議控制器+同步整流
首先作為一款高集成度的芯片，MIX-DESiGN美思迪賽MX5420除支持USB PD3.0規(guī)范外，兼容QC3.0、華為FCP、BC1.2、Apple 2.4A等充電模式，并把次級(jí)同步整流控制器內(nèi)置進(jìn)去。
二、專有的智能反饋技術(shù)(Smart-Feedback)
該芯片搭載了美思迪賽半導(dǎo)體專有的Smart-Feedback技術(shù)，采用數(shù)字算法把傳統(tǒng)初次級(jí)電壓及電流RC環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)直接省去，同時(shí)因?yàn)镾mart-Feedback加持，沒有傳統(tǒng)反饋環(huán)路系統(tǒng)不穩(wěn)定的問題，工程師在采用MIX-DESiGN美思迪賽MX5420設(shè)計(jì)時(shí)不需要要考慮難調(diào)的環(huán)路增益和反饋裕度，因此得益于該公司Smart-Feedback的技術(shù)，除了電路能更加簡(jiǎn)潔，同時(shí)更大大節(jié)省工程師的開發(fā)時(shí)間和成本。而且在這樣阻容器件大幅度漲價(jià)缺貨的時(shí)候，估計(jì)搭載Smart-Feedback技術(shù)的方案將大受歡迎。
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
MX5420+MX6580 18W PD快充DEMO簡(jiǎn)潔的內(nèi)部原理圖
三、無需次級(jí)電流Sense電阻，實(shí)現(xiàn)每個(gè)細(xì)分電壓段的精確恒流
MIX-DESiGN美思迪賽MX5420與該公司初級(jí)芯片MX65XX協(xié)同工作，初次級(jí)采用數(shù)字算法協(xié)調(diào)控制，在無需次級(jí)檢測(cè)電阻的情況下，能讓輸出電壓在每一個(gè)上升或下降Step實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)恒壓恒流。
四、外部可編程輸出功率及個(gè)性化恒流恒壓自由設(shè)置
同時(shí)MIX-DESiGN美思迪賽MX5420采用外部可編程輸出功率的技術(shù)，每顆芯片輸出功率從18W-45W及恒壓恒流點(diǎn)客戶在應(yīng)用電路設(shè)計(jì)時(shí)隨時(shí)可以編輯設(shè)定。
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
經(jīng)過ChargerLAB POWER-Z KT001實(shí)測(cè)，該方案支持USB PD3.0協(xié)議，并具備5V、7V、9V、12V四檔電壓輸出，最大輸出功率為18W。
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
除此之外，該方還支持Apple 2.4A、USB DCP、QC2.0、QC3.0、FCP等充電協(xié)議。
該套方案初級(jí)PWM控制器搭配的是MIX-DESiGN美思迪賽MX6580，初級(jí)的外圍器件也極其簡(jiǎn)單，我們看到MX6580同樣是一顆超高集成度的產(chǎn)品。
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
MIX-DESiGN美思迪賽MX6580具有以下主要功能：
(1)支持QC3.0快充，電壓調(diào)節(jié)范圍3.6V~12V;200mV一個(gè)Step
(2)支持USB PD快充;
(3)內(nèi)置MTK PE1.1/2.0快協(xié)議，無需次級(jí)的協(xié)議IC也可獨(dú)立工作;
(4)多模PWM和PFM工作，防止進(jìn)入音頻模式并提高效率;
(5)搭配MIX-DESiGN美思迪賽次級(jí)MX54XX，執(zhí)行專有的Smart-Feedback技術(shù)，消除V/I環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò);
(6)采用可編程電纜補(bǔ)償技術(shù);
(7)內(nèi)置700V耐壓功率MOSFET，無需外設(shè)初級(jí)開關(guān)管，節(jié)省PCB空間，降低成本，利于開發(fā)小體積產(chǎn)品。
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
讓人驚奇的是美思迪賽半導(dǎo)體推出的這顆初級(jí)控制IC MX6580將原本需要外置的初級(jí)高壓MOSFET連同控制芯片一起封裝到了一個(gè)小小的SOP-7的封裝里面，如能達(dá)到滿18W的輸出功率，這將是目前業(yè)界18W快充功率密度最高的一顆初級(jí)整高壓整合芯片。
據(jù)該公司FAE介紹，該DEMO在40℃環(huán)境溫度下，主要器件的溫度均滿足要求安規(guī)要求。為了將MX6580內(nèi)置的這顆高新能MOSFET和控制芯片內(nèi)置到一個(gè)SOP-7的小封裝里面，該公司器件工程師對(duì)其做了深度優(yōu)化，采用超結(jié)技術(shù)將開關(guān)速度提升和RON降低的情況下，同時(shí)又做到了與傳統(tǒng)平面MOSFET相類似的EMI性能。
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
同時(shí)MX6580 VCC耐壓達(dá)到60V，因此在輸出寬范圍的情況下，無需外部串聯(lián)穩(wěn)壓電路。
以下為MIX-DESiGN美思迪賽MX6580初級(jí)IC搭配MIX-DESiGN美思迪賽MX5420次級(jí)IC組成的多協(xié)議快充方案DEMO板：
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
美思迪賽半導(dǎo)體推出超高集成度USB PD3.0控制芯片
此次我們看到美思迪賽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司推出的這套符合USB-PD3.0的多協(xié)議控制芯片，有非常多的技術(shù)亮點(diǎn)，相信未來必定會(huì)有比較好的市場(chǎng)反饋。
美思迪賽半導(dǎo)體在傳統(tǒng)AC-DC電源市場(chǎng)耕耘了多年，也是業(yè)內(nèi)為數(shù)不多的有能力在電源初、次級(jí)IC同時(shí)做設(shè)計(jì)優(yōu)化的半導(dǎo)體公司，該公司以往在傳統(tǒng)AC-DC非快充市場(chǎng)已取得不錯(cuò)占率和口碑，目前美思迪賽半導(dǎo)體在臺(tái)北，上海，蘇州均設(shè)有研發(fā)部門，近年來在數(shù)模混合設(shè)計(jì)積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，這次推出的方案可以說是公司厚積薄發(fā)的表現(xiàn)，美思迪賽的銷售人員透露，這次推出的產(chǎn)品只是剛開始，未來幾個(gè)月他們將陸續(xù)推出符合PD3.0，QC4+，PPS及第三方高低壓直充的快充控制芯片，產(chǎn)品將涉及AC-DC及DC-DC等領(lǐng)域。
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