據外媒報道， IBM及其合作伙伴格羅方德(GlobalFoundries)和三星合作打造出了具有突破性的5納米芯片。
這是一個了不起的技術成就，盡管在短期內它還無法投入商用。它可以在一個手指甲大小的芯片上安裝300億個晶體管。研究人員稱，這個成就將會讓規模達3300億美元的芯片行業繼續按照摩爾定律的規律進行發展。摩爾定律是1965年英特爾創始人戈登-摩爾(Gordon Moore)提出的一種理論，它預測芯片上的晶體管數量每隔幾年就會增長一倍。
在日本東京舉行的2017年超大規模集成電路技術研討會上，IBM詳細介紹了它的這個研究成果。兩年前，IBM研究人員推出了7納米的節點測試芯片，上面安裝有200億個晶體管。1納米等于1米的十億分之一。5納米只有幾個原子厚。
目前，最先進的芯片使用帶有10納米寬電路的FinFET制程。英特爾等公司已能夠用FinFET制程打造安裝有100億或150億個晶體管的芯片。
IBM研究部門的半導體技術研究副總裁穆克什-哈雷(Mukesh Khare)稱，5納米芯片的速度要比10納米芯片快大約40%，效能提高75%。
“這是7納米技術之外的重大創新成果。”哈雷說，“這是設計上的創新，它讓你整合了更多的晶體管。”
IBM稱，性能的提高將可以加速認知計算能力、物聯網和其他云端數據密集型應用程序的發展。能耗的節省也意味著智能手機和其他移動設備中的電池充一次電使用的時間將比現在的設備長一兩倍。
IBM在紐約州立大學理工學院納米科學與工程學院領導了一個名為Research Alliance的研究項目。該項目的科學家們取得了突破性的進展，他們的晶體管采用疊加的硅納米薄片，而不是標準的FinFET架構——7納米芯片的設計標準。
IBM還表示，性能大大提高的5納米芯片能將能夠滿足人工智能、虛擬現實和移動設備的未來需要。
納米薄片代表了一種新的發展方向。但是哈雷稱，IBM研究部門已對此研究了10多年。哈雷相信，有了這種技術，芯片行業將可以每兩三年取得一個大的進步。
“我們將會繼續創新，確保按照摩爾定律的規律來不斷取得新的進步。”哈雷說，“這一切證明，只要適當的投資，我們就可以繼續推進半導體技術發展。5納米芯片就是這樣打造出來的。”
三年前，IBM宣稱它將會在未來五年內投資30億美元用于芯片研發。5納米芯片就是它的研究成果之一。現在，IBM研究部門擁有12個實驗室，逾3000個研究人員。
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