三星集團日前宣布將投資8.5萬億韓元(69.8億美元)擴充現有10nm工藝產能，并為明年的7nm準備基礎建設。其中2.5萬億韓元將投向位于Hwasung-si的17 Line工廠，預計今年二季度早些時候將額外增加1.8萬片晶圓/月的10nm產能——現在10nm的產能是2.5萬片晶圓/月。
去年10月三星已宣布量產新一代10nm LPE工藝了，使用該工藝的處理器包括高通的驍龍835以及三星自家的Exynos 8895，但是10nm工藝的產能、良率目前依然存在問題，導致其使用驍龍835處理器的旗艦機或延期上市。本次投資被視為三星為解決這一問題而加大投資，擴充產能。
目前三星生產移動處理器最先進的工藝是14nm FinFET，下一代則是10nm FinFET，也有LPE低功耗及LPP高性能之分，不過LPP工藝要等到今年下半年才會量產，首先量產的是10nm LPE工藝。根據三星所說，新工藝下的SoC性能可以提升27%，功耗將降低40%。
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。閘長已可小于25nm。未來預期可以進一步縮小至9nm，約是人類頭發寬度的萬分之一。由于在這種導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。
最早使用10nm工藝的處理器是高通驍龍835，這款處理器也將是2017年各大手機廠商新旗艦必備的硬件配置，但是因為10nm工藝的產能、良率問題困擾，驍龍835以及三星自家的Exynos 8895量產時間都比前代芯片晚一些。2月的MWC展會上，LG發布的G6手機就只能使用驍龍821處理器，等不及驍龍835了，索尼雖然搶先首發了驍龍835手機Xperia XZP，不過上市時間還沒確定。
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