幾年前斯坦福工程師率先開發的電阻式隨機存取存儲器（RRAM），它是一種新型電腦存儲器，它基于一種新的半導體材料，依賴于溫度和電壓來存儲數據。雖然它被證明比當前技術更快，更節能，但是RRAM的工作原理仍然是一個謎。現在，一個斯坦福團隊使用了全新工具來研究RRAM，發現其最佳工作溫度范圍遠低于此前預期，為更高效的內存鋪平了道路。
RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上，使得存儲器和邏輯組件以不能復制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數據處理延遲，同時延長未來移動設備的電池壽命，提供更快，更高能效的解決方案。
RRAM工作的基本原理：在自然狀態下，RRAM材料是絕緣體，阻止電子流動，但是用電場將它們打開，為電子打開一個路徑，讓電子流動，這兩個狀態之間交替可以形成二進制代碼的基礎：即絕緣狀態表示0，而通過電子的狀態代表1。
但是RRAM材料需要多少溫度才會導致開關目前還是未知因素。由于沒有辦法測量由電力產生的熱量，研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。通過監測電子何時開始流過RRAM材料，團隊能夠測量材料形成導電通路所需的溫度，并驚喜地發現其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之間，遠低于此前估計的1160°F（626.7℃）。因此，未來的RRAM器件將需要更少的電力來產生這些溫度，使得它們更節能。
RRAM可能不會在短時間內商業化，成為消費者設備當中的存儲裝置，但研究人員說，這一發現將有助于加快業界對這項技術的理解，并為未來的工作提供更堅實的基礎。
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