據科技資訊網站Techtimes11月30日報道，三星去年8 月就宣布推出全球第一款采用3D立體硅穿孔封裝技術打造的內存芯片，單條 DDR4 內存條容量高達 64GB。三星近日宣布,將批量生產128GB 內存芯片，容量比去年翻了一倍。
“我們很高興批量生產高速度運行、低功耗的128GB立體硅穿孔封裝技術DRAM內存，這將促進我們全球IT客戶和合作伙伴推出新一代的企業解決方案,”三星電子內存銷售及營銷的副總裁Joo Sun Choi稱。
據悉，在這個小小的內存芯片中，三星內置了 144 個芯片，形成了 36×4GB DRAM 封裝，每個封裝中有 4×8Gb 芯片，所以采用 128GB 的容量。而且該內存芯片采用了三星最先進的 20毫微米工藝制造，數據傳輸速度高達 2400Mbps。它的作用是，代替使用互連引線接合，像在常規芯片封裝芯片堆疊的是，在芯片管芯是第一精細研磨，然后用細孔穿孔電極由穿過孔垂直連接。這提升信號傳輸并配上模塊的特殊設計，當它優化模塊的功耗和性能。
三星正研究20毫微米的8GB內存芯片，接下來數據傳輸速度將逐步提升到3200Mbps和2667Mbps。另外，三星還會把硅穿孔技術應用到高帶寬內存中。
這是一個什么樣的概念？這或許意味著在條件允許的情況下，就算你玩的是目前市面上所需配置最高的游戲，不論是單機還是網絡游戲，十開都不會卡!這絕對不是夸大其詞，畢竟，8GB 配置的筆記本電腦目前就基本已經可以支持玩所有的大型游戲了。
當然，這樣一個 RAM 內存芯片的價格自然不會便宜，雖然三星沒有給出具體價格，但是他們也表示，這款 RAM 內存芯片的價格絕對不會低于一臺普通的筆記本電腦。
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