無獨有偶的事近期在存儲器領域上演。Spansion公司除宣布整合富士通半導體MCU及相關業務外，還宣布與中國大陸300mm晶圓廠XMC共同簽署一項技術許可協議。據該協議，XMC將獲得Spansion浮柵NOR閃存技術授權。在XMC現有300mm晶圓產能基礎上，雙方將進一步擴大Spansion授權的65nm、45nm和32nm的MirrorBit閃存技術合作。而存儲器另一大廠美光正式宣布整合爾必達以及旗下子公司瑞晶，在正式入主之后，不僅位居DRAM市場三強之列，未來其存儲器產品及產能也將做進一步調整，存儲器版圖將釀變。
影響幾何
XMC如果在32nm工藝實現突破，將在中國大陸半導體產業產生示范作用。
收購富士通半導體MCU及相關業務之后的Spansion，顯然把目光越過了存儲器，而欲在MCU相關應用領域大展宏圖，但存儲器仍是Spansion立身之本。其與XMC的合作始于2008年，此次選擇XMC可謂順理成章。Spansion首席執行官兼董事會成員John Kispert表示，XMC在生產技術、產品質量和成本控制上具有優勢，Spansion關注質量和成本，而XMC在成本和質量控制上都非常出色，而且全球鮮見能提供32nm工藝的代工廠。
“和XMC合作主要是基于其300mm晶圓生產線，在65nm和45nm開展技術合作。今年晚些時候，我們還會推出32nm工藝開發的產品，這樣Spansion在產品成本上會更具競爭力。”John Kispert指出。XMC與Spansion位于美國的工廠將共同成為支持Spansion輕晶圓廠戰略的核心。由于Spansion的產品多元化，因而其代工伙伴還包括海力士、UMC等，走的是廣撒網的路線。
雖然是客戶與供應商之間的合作，但對業界的影響亦見微知著。“Spansion與XMC合作對于中國半導體業影響不小。”業界專家莫大康分析說，“從目前大陸代工業發展來看，雖然中芯國際已開始贏利，但經營思路已然改變，現在的思路是確保贏利。另一國有企業華力微發展也不太妙。在這種情形下，XMC如果在32nm工藝實現突破，將為中國大陸半導體產業產生示范作用。莫大康進一步指出，從全球來看，32nm工藝不算很先進，實現這一工藝并不很困難，買好的光刻機差不多就能實現。
從合作層面來考量，iSuppli首席分析師顧文軍指出，Spansion與XMC合作可能更多只是簡單的代工關系，而沒有建立更深層次的合作。很可能Spansion對價格要求苛刻，對于XMC來說能否賺錢還很難說。從制造來看，Spansion只在美國有8英寸廠，沒有自己的12英寸廠，相對于其他存儲器廠商的IDM模式還有差距。顧文軍還指出，現在XMC也在為國內存儲器廠商兆易創新做代工，如果XMC能與兆易創新建立更深的合作，比如股權合作等，成為戰略合作伙伴，對國內存儲器業的發展將是利好。
版圖生變
寡頭壟斷格局日益彰顯，三星、海力士、美光、東芝等居于領先地位，這種格局也將日趨穩定。
8月初美光正式整合爾必達以及旗下子公司瑞晶也使得存儲器市場發酵。
從今年第一季DRAM市場占有率來看，原美光與爾必達市場占有率各為13.0%及13.8%，整合之后，新美光集團市場占有率與SK海力士相當，成為僅次三星、與SK海力士并列第二的存儲器大廠。而從閃存方面來觀察，美光市場占有率僅2.7%，遠低于爾必達的18.5%以及SK海力市的21.7%。整合之后，攜美光優異的NAND Flash制程以及爾必達在閃存的地位，預計其將在相關領域提升市場占有率。移動存儲器營收將占整體20%以上，對該市場的影響力將大幅增加。
“美光兼并爾必達，全球存儲器三足鼎立態勢確立。”莫大康說道。存儲器的總產值約600億美元，但DRAM、NAND及NOR等消耗了40%以上的總產能，因此被稱為風向標。它的周期性起伏明顯，目前在DRAM市場中，三星、海力士及美光稱雄。在NAND中，包括三星、東芝、美光、海力士等居領先地位。顧文軍分析說，合并之后，寡頭壟斷格局日益彰顯，三星、海力士、美光、東芝等居于領先地位，這種格局也將日趨穩定。
據預測，全球NAND閃存芯片市場將持續增長，從今年的236億美元增長到2016年的308億美元。在閃存領域雖然Spansion市值相對較小，但其發展不斷提速。第二季度財報顯示，Spansion銷售額達1.95億美元，毛利率33.6%，凈利率為9.5%。在過去3年中，其每個季度的利潤率都是10%左右。John Kispert介紹說，下一季度預計還將按此比例增長。NOR仍是Spansion最大、最強的業務板塊，Spansion會持續推出新品，持續增長和保持贏利。在NAND方面，Spansion也在持續加強，上一季度營收即翻番，預計下一季度營收也將翻番。John Kispert還指出，成本是閃存市場競爭關鍵，因而Spansion也將致力于持續降低成本，提高利潤率，這是唯一能夠持續不斷對設計和研發進行投入的前提。
根據市場調研機構TrendForce調查，由于下半年PC出貨仍不明朗，加上三星手機事業部開始購買SK海力士的移動存儲器，SK海力士正積極調整其產品比例，下半年預計標準型存儲器比重將僅剩30%。TrendForce認為，隨著DRAM產業走入寡頭壟斷態勢，供需已經不是價格漲跌的唯一依據，DRAM廠只要在某一產品形成寡頭壟斷甚至獨占后，定能控制價格與市場，往年價格的大起大落將不復見，伴隨而來的是穩定的市場價格與獲利，這將是未來DRAM市場的走向。
莫大康指出，前段時期廠商將DRAM產能轉到NAND上，如今DRAM價格上升，產能又吃緊，因而做存儲器要經得住周期的虧損。隨著一次又一次的兼并，未來格局將相對穩定。
3D閃存浮出水面
存儲器相對3D最容易實現，因為是把同一種芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此將在3D方面打先鋒。
存儲器雖然亦走在工藝領先進程的前列，但隨著工藝的推進，亦面臨新的挑戰。業界主要投入量產的閃存芯片采用的是40多年前開發的浮柵結構。隨著近來10納米級制程工藝正式投入使用，存儲單元間的間隔大幅縮小，使得電子外漏導致的電子干擾現象越來越嚴重。從某種程度上說，NAND閃存的微細化技術已達到了物理極限。
而借助于3D的力量，NAND閃存迎來新曙光。近期三星、東芝包括海力士都在努力，成為業界一大趨勢。三星近日推出的3D NAND閃存，采用三星獨創的“3D圓柱形電荷捕獲型柵極存儲單元結構技術”和“3D垂直堆疊制程技術”，與采用20納米級單層結構的高性能NAND閃存產品相比，密度提高了兩倍以上，由此顯著提高了生產效率。三星此次將原來單層排列的存儲單元以3D垂直堆疊方式重新排列，不僅同時實現了結構創新和制程創新，更將原有問題一并解決，使3D閃存芯片量產成為可能。這也使得3D芯片的發展進一步提速。
莫大康分析說，存儲器相對3D最容易實現，因為是把同一種芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此存儲器將在3D方面打先鋒。未來NAND閃存競爭將迎來加高堆疊層數來實現大容量化的、徹底的技術轉型。
莫大康最后指出，3D的路其實不好走，技術方面難度大，尤其是異質架構。其實最理想的是異質架構把邏輯、存儲器、模擬、RF、MEMS都放在一起，這將實現半導體又一次大躍進，但目前還達不到。
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