三星
北京時間12月5日消息，據(jù)外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。
韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
KAIST表示，三星是在邀請FinFET技術(shù)開發(fā)者、首爾大學(xué)教授李鐘浩(Lee Jong-ho)向公司工程師展示FinFET技術(shù)原理時盜取了這項技術(shù)。李鐘浩是KAIST合伙人之一。
“三星在分文未花的情況下盜取了李鐘浩的發(fā)明，從而削減了開發(fā)時間和成本。隨后，三星在沒有取得授權(quán)或支付適當(dāng)賠償金的情況下繼續(xù)使用李鐘浩的發(fā)明，”KAIST稱。
KAIST表示，英特爾已意識到他們才是FinFET技術(shù)的真正開發(fā)者，并取得了授權(quán)使用這項技術(shù)，但是三星并未這么做。KAIST還認為高通、臺積電也侵犯了FinFET技術(shù)專利。
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