與三星聯手搞定14nm FinFET并獲得AMD CPU/GPU全面采納，又與AMD簽訂五年晶圓供應合約共同開發7nm工藝，習慣性炸雷的GlobalFoundries最近有點春風得意的感覺，接下來又要進軍12nm工藝了，但走的是道路有些特殊：FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)。

大家都知道，目前半導體工藝已經全面從2D晶體管轉向3D晶體管，Intel、臺積電、三星以及GF自己都在做。

另一方面，AMD雖然工藝上一直落后，但有個獨門秘籍那就是SOI(絕緣層上硅)，當年與藍色巨人IBM合作搞的，可以將工藝提高半代水平，其優秀表現也是有目共睹的。

不過，AMD進入32nm之后就拋棄了SOI，不過獨立后的GF一直保留著SOI技術，還收購了IBM的相關技術，后者最新的Power8就是采用22nm SOI工藝制造的。

GF此前已經全球第一家實現22nm FD-SOI(22FDX)，號稱性能功耗指標堪比22nm FinFET，但是制造成本與28nmm相當，適用于物聯網、移動芯片、RF射頻、網絡芯片等，已經拿下50多家客戶，2017年第一季度量產。

現在，GF又宣布了全新的12nm FD-SOI(12FDX)工藝，計劃2019年投入量產。

GF表示，12FDX工藝的性能等同于10nm FinFET，但是功耗和成本低于16nm FinFET，相比現有FinFET工藝性能提升15％，功耗降低50％，掩膜成本比10nm FinFET減少40％！

它還將提供業界最寬泛的動態電壓，通過軟件控制晶體管大大提升設計彈性，在高負載時可提供最高性能，靜態時則具備更高能效。

該工藝也是針對低功耗平臺的，包括移動計算、5G互連、人工智能、自動駕駛等等，中國中科院上海微電子研究所、NXP半導體、VeriSilicon半導體、CEATech、Soitec等都參與了合作。

GF正在德國德累斯頓Fab 1晶圓廠推進12FDX工藝的研發，預計2019年上半年完成首批流片，并在當年投入量產。

簡單來說，GF現在是兩條腿走路：低功耗方面主打22/12DFX，尤其后者可以替代10nm FinFET；高性能方面直接進軍7nm FinFET。