安謀國際(ARM)宣布首款采用臺積公司10奈米FinFET制程技術的多核心64位元ARM v8-A處理器測試晶片問世。模擬基準測試結果顯示，相較于目前多用于多款頂尖高階手機運算晶片的16奈米FinFET+制程技術，此測試晶片展現更佳運算能力與功耗表現。
此款測試晶片已成功獲得驗證(2015 年第 4 季已完成設計定案)，為該公司與臺積公司持續成功合作的重要里程碑。此一驗證完備的設計方案包含了EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積公司最先進的10奈米FinFET制程完成設計定案。此外，亦可供SoC設計人員利用基礎IP(標準元件庫、嵌入式記憶體及標準I/O)開發具競爭力的SoC，以達到較高效能、較低功耗及較小面積。
ARM執行副總裁暨產品事業群總經理Pete Hutton表示，高階行動應用SoC設計的最高指導原則就是低功耗，因為現今市場對裝置效能的需求日益高漲。臺積公司的16奈米FFLL+制程與 ARM Cortex處理器已奠定低功耗的新標準。我們與臺積公司在10奈米FinFET制程技術的合作，可確保在SoC層面上的效率，使客戶在維持嚴苛的行動功耗標準下，同時能夠有余裕發展更多的創新。
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