除了智能手機知名之外，三星還是全球重要的半導體公司，在2016年TOP20半導體公司中營收排名第二，僅次于Intel，領先于TSMC臺積電。在FinFET代工上，三星也比TSMC公司搶先量產(chǎn)14nm FinFET工藝，不僅為高通代工驍龍820/821處理器，還把14nm工藝工藝授權給了AMD好基友GlobalFoundries公司。三星為何在FinFET工藝上領先？TSMC早前指責三星剽竊了他們的工藝技術，現(xiàn)在韓國KAIST（韓國科學與技術學院）把三星告上了法庭，指控他們侵犯了KAIST的FinFET專利，一同挨告的還有高通和GlobalFoundries兩家。
雖然普通人沒聽過KAIST（韓國科學與技術學院）的名頭，不過他們?nèi)ツ晔欠敲绹盒Ｔ诿绹暾垖＠诙嗟母咝＃暾埩?05項專利，排名第一的則是中國清華大學，申請了185項專利，因此KAIST在科研實力上還是很有底氣的，他們這次通過管理專利的子公司KAIST IP在美國德州聯(lián)邦法院提起了法律訴訟，指控三星、GF及高通侵犯了他們編號為6885055的美國專利——一種雙柵極FinFET設備及其制造方法。
根據(jù)KAIST所述，2001年還在韓國圓光大學任職的教授Lee Jong-ho提出了這種技術，三星當時對FinFET工藝并沒有任何興趣。不過在Intel率先推出類似FinFET工藝的3D晶體管技術之后，三星邀請了Lee教授給自家工程師演講，獲得了這種專利技術。
KASIT IP指出，三星盜用Lee教授的技術可以節(jié)省大量開發(fā)時間和成本，但卻沒有支付任何專利費。他們指責三星還在持續(xù)侵犯該技術，絲毫不考慮Lee教授的權益或者適當?shù)难a償。
由于三星的14nm FinFET工藝不僅自己用，還授權給了GlobalFoundries公司，并為高通公司代工處理器，因此后面兩家也一起被告上了法庭。
對于這些指控，三星公司表示正在調(diào)查指控情況，他們強調(diào)從2000年代初期就開始研發(fā)3D半導體技術，擁有FinFET相關專利。
PS：早前TSMC指責三星挖走了TSMC前研發(fā)部門高管Liang Mong-song，后者帶著技術資料跳槽，他們認為三星在14nm FinFET工藝上進展迅速就是靠著TSMC的技術，不過TSMC跟三星之間只是打了嘴仗，TSMC并沒有起訴三星。這次KAIST不同了，直接向法院起訴了，顯然是有備而來。
另外，F(xiàn)inFET技術的發(fā)明人是胡正明教授，不知道他申請了多少專利。
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