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三星投產第二代10nm技術 甩英特爾好幾條街

責任編輯:editor004

2016-04-22 11:28:27

摘自:中關村在線

據外媒報道,三星本周宣布,將定于今年晚些時候投產第二代10nm芯片生產工藝。在之前的14納米Broadwell架構上,英特爾也曾面臨很大困難,結果導致桌面和移動處理器上市時間推遲了幾個月。

據外媒報道,三星本周宣布,將定于今年晚些時候投產第二代10nm芯片生產工藝。目前,三星已經在美國開始向多個半導體公司推廣自家的14nm工藝。

  三星投產第二代10nm技術

報道稱,所謂的第二代10nm工藝,有媒體認為是14nm FinFET+。其實目前,14nm FinFET+已經導入了驍龍820、三星Exynos 8890等產品,三星希望可以爭取到更多半導體客戶看到新制程的優越性。

因此,三星本周在美國硅谷會晤多個半導體公司,向他們推介自己的14nm工藝。以此同時,三星在內存DRAM顆粒上也全球率先完成了10nm級的布局,同時本月還將量產18nm工藝產品。

至于另外兩家對手在制程工藝方面也進展很快,其中臺積電也在本周表示,預計今年三、四季度會量產10nm工藝。目前已有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜,預計2017年有15家客戶提交流片。值得一提的是,蘋果將在下半年發布的iPhone 7所搭載的A10芯片,有可能就能用上臺積電10nm工藝。

英特爾日前則表示,公司將在2017年下半年推出10納米CPU。不過英特爾的確面臨一些嚴重的問題,因為CPU的制程節點縮小了,良率不高一直困擾CPU的量產。在之前的14納米Broadwell架構上,英特爾也曾面臨很大困難,結果導致桌面和移動處理器上市時間推遲了幾個月。

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