我們的預(yù)估比 DRAMeXchange 對(duì) 明 年 存 儲(chǔ) 器芯 片 產(chǎn) 業(yè) 5%的 同比 成 長(zhǎng) 預(yù)估 來 的 悲 觀許 多， 但 DRAMeXchange 上周五也下修今年第四季度的 DRAM 合約價(jià)格預(yù)期，從 1-3%價(jià)格環(huán)比下跌下修到 5%的價(jià)格下 跌。雖然存儲(chǔ)器價(jià)格下行趨勢(shì)確立，但我們預(yù)估此次下行趨勢(shì)應(yīng)不超過 18 個(gè)月，英特爾 14 納米 x86 CPU 短缺狀 況應(yīng)會(huì)于明年中之前改善，10 納米 x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)， AMD 7 納米 x86 CPU, 7 納米挖礦機(jī)及智能手 機(jī)，5G 手機(jī)都將于明年出籠而對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。
因此我們預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司會(huì) 面對(duì)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率從近 50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損，因此我們不預(yù)期主流存儲(chǔ)器會(huì)將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型 NOR 和 SLC NAND 閃存市場(chǎng)而造成其價(jià)格崩跌，NOR 和 SLC NAND 閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢 新芯將持續(xù)將產(chǎn)品轉(zhuǎn)為價(jià)格及獲利較好的高密度 NOR 和 SLC NAND，而讓相關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對(duì)較小。 但此下行趨勢(shì)對(duì)明年即將量產(chǎn)的中國(guó)主流存儲(chǔ)器芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ), 合肥長(zhǎng)鑫，福建晉華當(dāng)然是雪上加霜。
供給過剩，價(jià)格下行趨勢(shì)確立：
因?yàn)橛⑻貭?14 納米 x86 CPU 產(chǎn)能短缺， 比特幣價(jià)格下跌造成的中低階挖礦機(jī)需求不振，及新興市場(chǎng)貨幣貶值造成 的中低階手機(jī)銷售不佳，但加上 3D NAND 閃存轉(zhuǎn)到 96 層及 DRAM 內(nèi)存 轉(zhuǎn)到 19 納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，我們預(yù)估明年內(nèi)存 DRAM (23-25% 供給 vs. 20%需求)和閃存 NAND (43-45% 供給 vs. 40%需求)將會(huì)有 3-5% 的供過于求，價(jià)格下行趨勢(shì)確立，我們預(yù)期在未來 12 個(gè)月內(nèi)，DRAM 內(nèi) 存每位元現(xiàn)貨價(jià)格 (bit price)同比將衰退超過 20%，NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格 同比將衰退超過 40%，而將造成 2019 年整體存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5-9% 及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退 1-4%(但邏輯芯片將持續(xù)成長(zhǎng))。我們的預(yù)估 是比存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 對(duì)明年存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè) 5%的同 比成長(zhǎng)預(yù)估(DRAM 7% 同比成長(zhǎng)，NAND 同比零成長(zhǎng))來的悲觀許多， 但 DRAMeXchange 上周五最新出爐的報(bào)告也因近期供過于求，而下修今 年第四季度的 DRAM 合約價(jià)格預(yù)期，從 1-3%價(jià)格環(huán)比下跌下修到 5%的 價(jià)格下跌。
季度存儲(chǔ)器價(jià)格表
這次下行趨勢(shì)有多糟?
雖然存儲(chǔ)器價(jià)格下行趨勢(shì)確立，但我們預(yù)估此次下 行趨勢(shì)應(yīng)不超過 18 個(gè)月，英特爾 14 納米 x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會(huì)于明年 中之前改善，10 納米 x86 CPU 應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)， AMD 7 納米 x86 CPU, 7 納米挖礦機(jī)及智慧手機(jī)，5G 手機(jī)都將于明年出籠取代中低階機(jī)種 及對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此我們預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲(chǔ)器半 導(dǎo)體公司會(huì)面對(duì)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率從近 50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。
季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率和自由現(xiàn)金流量銷售比
對(duì)中國(guó)產(chǎn)業(yè)的影響?
雖然主流 DRAM 和 3D NAND 的下跌對(duì) NOR，SLC (Single-Level Cell, 單層單元閃存) NAND 都會(huì)造成不良的影響，但只要這 次下行趨勢(shì)不超過 18 個(gè)月，主流存儲(chǔ)器芯片大廠不步入虧損，我們不預(yù)期 主流存儲(chǔ)器會(huì)將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型 NOR 和 SLC NAND 閃存市場(chǎng)而造成 其價(jià)格崩跌。目前我們維持之前的預(yù)估，NOR 和 SLC NAND 閃存領(lǐng)導(dǎo)廠 商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢新芯將持續(xù)將產(chǎn)品從價(jià)格及獲利下行的中、 低密度 NOR 轉(zhuǎn)為價(jià)格及獲利較好的高密度 NOR 和 SLC NAND，而讓相 關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對(duì)較小。但此下行趨勢(shì)對(duì)明年即將量產(chǎn)的中國(guó) 主流存儲(chǔ)器芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ) (3D NAND), 合肥長(zhǎng)鑫(Mobile DRAM)，福 建晉華 (Niche DRAM)當(dāng)然是雪上加霜。
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