課題組利用鍺獨特的表面性質,在鍺表面生長憶阻器材料,形成一種新的器件,稱之為“記憶二極管”。這個新器件將原來需要一個電路才能做到的工藝,用一個器件就能實現其功能,有望使得芯片面積縮小幾十分之一。在手機等小型化電子設備中,這樣的縮小可以為其他功能的實現“騰出”大量空間。“記憶二極管”的另一個特點是有利于加快數據流通,實現上網速度的大幅加快。趙毅介紹,這種加速或許對例如一個區域內只有一兩部手機等上網設備的情況無法顯現得那么明顯,但在未來物聯網時代區域內集中了大量上網連接設備時,其優勢就可以得到顯現。
據悉,“記憶二極管”在休眠狀態中對能量幾乎無消耗,而由于較為簡單的構造方式,其生產成本也較原先大大降低,市場使用前景廣闊。目前,該項研究論文被國際超大規模集成電路峰會收錄。