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進擊的閃存 SK海力士17年Q2量產10nm級DRAM

責任編輯:editor004 作者: 王輝 |來源:企業網D1Net  2016-12-19 11:38:28 本文摘自:中關村在線

據韓媒ETnews報道,SK Hynix將在2017年開始大規模量產10nm級DRAM,成為繼三星之后第二家邁入10nm DRAM制程的原廠。SK Hynix在內部結束1xnm DRAM開發工作的同時即開始了1ynm DRAM的研發工作,并且同步建立了1znm DRAM的研發團隊,以增加DRAM未來的產品競爭優勢。

據了解,SK Hynix已經在著手準備1xnm DRAM批量生產的相關事宜,其項目名稱WieAlius,目前已經有了晶圓原型,正在進行量產前可行性的最終測試。半導體制造過程中通常所說的原型被分為工程樣品(ES)和客戶樣品(CS)兩種類型。客戶樣品是為了在客戶端測試過程中發現并修復工程樣品可能存在的某些問題,當客戶樣品測試完成了之后可以判定完成了產品的開發過程。為了推動1xnm DRAM量產的進行,SK Hynix將立即執行客戶樣品測試的流程,這說明SK Hynix已經基本成功完成了1xnm DRAM開發。

從目前情況來看,SK Hynix將在2017年第一季度對位于利川的M14工廠投入生產設備,為批量量產做準備。然后將于2017年的第二季度開始1xnm DRAM的批量生產。

從目前情況來看,SK Hynix將在2017年第一季度對位于利川的M14工廠投入生產設備,為批量量產做準備。然后將于2017年的第二季度開始1xnm DRAM的批量生產。

業內普遍認為在2znm DRAM制程層面,SK Hynix相較于三星技術方面落后了1年半的時候。三星電子在今年第二季度已經開始量產1xnm DRAM,如果SK Hynix能在2017年第二季度實現1xnm DRAM的量產,它們之間的差距將縮減到1年。

除了加快1xnm DRAM的量產進度,SK Hynix還計劃通過加快1ynm 和1znm DRAM的開發進度來縮短與三星電子之間的差距。1ynm和1znm DRAM項目名稱分別被命名為“Davinci”和“Rigel”。這也是SK Hynix目前正在進行的“+2”策略,所謂的“+2”策略是存儲行業中完成一個產品的開發后同時開始進行后面兩代產品的開發。

聽說美光方面甚至還沒有開始2znm DRAM的量產,SK Hynix加快1ynm和1znm的開發進度在縮短與三星差距的同時還能拉開與美光之間的差距。

市場預測,SK Hynix在2017年將是其變化最大的一年,在存儲市場需求持續增長的前提下,若SK Hynix的技術開發能一切順利,SK Hynix的年營業利潤將進一步成長。

本文屬于原創文章,如若轉載,請注明來源:進擊的閃存 SK海力士17年Q2量產10nm級DRAMhttp://ssd.zol.com.cn/619/6197923.html

關鍵字:SK海力士量產

本文摘自:中關村在線

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進擊的閃存 SK海力士17年Q2量產10nm級DRAM

責任編輯:editor004 作者: 王輝 |來源:企業網D1Net  2016-12-19 11:38:28 本文摘自:中關村在線

據韓媒ETnews報道,SK Hynix將在2017年開始大規模量產10nm級DRAM,成為繼三星之后第二家邁入10nm DRAM制程的原廠。SK Hynix在內部結束1xnm DRAM開發工作的同時即開始了1ynm DRAM的研發工作,并且同步建立了1znm DRAM的研發團隊,以增加DRAM未來的產品競爭優勢。

據了解,SK Hynix已經在著手準備1xnm DRAM批量生產的相關事宜,其項目名稱WieAlius,目前已經有了晶圓原型,正在進行量產前可行性的最終測試。半導體制造過程中通常所說的原型被分為工程樣品(ES)和客戶樣品(CS)兩種類型。客戶樣品是為了在客戶端測試過程中發現并修復工程樣品可能存在的某些問題,當客戶樣品測試完成了之后可以判定完成了產品的開發過程。為了推動1xnm DRAM量產的進行,SK Hynix將立即執行客戶樣品測試的流程,這說明SK Hynix已經基本成功完成了1xnm DRAM開發。

從目前情況來看,SK Hynix將在2017年第一季度對位于利川的M14工廠投入生產設備,為批量量產做準備。然后將于2017年的第二季度開始1xnm DRAM的批量生產。

從目前情況來看,SK Hynix將在2017年第一季度對位于利川的M14工廠投入生產設備,為批量量產做準備。然后將于2017年的第二季度開始1xnm DRAM的批量生產。

業內普遍認為在2znm DRAM制程層面,SK Hynix相較于三星技術方面落后了1年半的時候。三星電子在今年第二季度已經開始量產1xnm DRAM,如果SK Hynix能在2017年第二季度實現1xnm DRAM的量產,它們之間的差距將縮減到1年。

除了加快1xnm DRAM的量產進度,SK Hynix還計劃通過加快1ynm 和1znm DRAM的開發進度來縮短與三星電子之間的差距。1ynm和1znm DRAM項目名稱分別被命名為“Davinci”和“Rigel”。這也是SK Hynix目前正在進行的“+2”策略,所謂的“+2”策略是存儲行業中完成一個產品的開發后同時開始進行后面兩代產品的開發。

聽說美光方面甚至還沒有開始2znm DRAM的量產,SK Hynix加快1ynm和1znm的開發進度在縮短與三星差距的同時還能拉開與美光之間的差距。

市場預測,SK Hynix在2017年將是其變化最大的一年,在存儲市場需求持續增長的前提下,若SK Hynix的技術開發能一切順利,SK Hynix的年營業利潤將進一步成長。

本文屬于原創文章,如若轉載,請注明來源:進擊的閃存 SK海力士17年Q2量產10nm級DRAMhttp://ssd.zol.com.cn/619/6197923.html

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