美光近日宣布，旗下3D立體堆疊的NAND閃存在產(chǎn)量輸出上已經(jīng)首次超越傳統(tǒng)的2D平面型閃存，標(biāo)志著一個(gè)新時(shí)代的到來。值得一提的是，美光這里說的產(chǎn)量并非晶圓數(shù)量，而是閃存容量。美光2D MLC/TLC閃存使用16nm工藝，單顆最大容量128Gb(16GB)，3D MLC/TLC則分別可達(dá)256/384Gb(32/48GB)，很容易超越前者。

3D閃存并非簡(jiǎn)單的堆疊，而是使用了完全不同的工藝技術(shù)，所以對(duì)于廠商的產(chǎn)能調(diào)控能力考驗(yàn)很大。

三星、海力士、東芝等也都一直在大力投入3D閃存，尤其是作為領(lǐng)頭羊的三星非常激進(jìn)。如今市面上的主流SSD基本都已經(jīng)轉(zhuǎn)換到3D閃存，大勢(shì)所趨不可逆轉(zhuǎn)。

美光同時(shí)宣布，其第二代3D閃存也即將量產(chǎn)，新加坡工廠將在2016年夏天產(chǎn)出首批晶圓，成本比第一代降低超過30％，比2D平面型降低幾乎一半。