根閃存原廠美光近日宣布，旗下3D立體堆疊的NAND閃存在產量輸出上已經首次超越傳統的2D平面型閃存，標志著一個新時代的到來。

值得一提的是，美光這里說的產量并非晶圓數量，而是閃存容量。美光2D MLC/TLC閃存使用16nm工藝，單顆最大容量128Gb(16GB)，3D MLC/TLC則分別可達256/384Gb(32/48GB)，很容易超越前者。

3D閃存并非簡單的堆疊，而是使用了完全不同的工藝技術，所以對于廠商的產能調控能力考驗很大。

三星、海力士、東芝等也都一直在大力投入3D閃存，尤其是作為領頭羊的三星非常激進。如今市面上的主流SSD基本都已經轉換到3D閃存，大勢所趨不可逆轉。

美光同時宣布，其第二代3D閃存也即將量產，新加坡工廠將在2016年夏天產出首批晶圓，成本比第一代降低超過30%，比2D平面型降低幾乎一半。

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