今年的存儲器市場異常火爆，特別是進入下半年以后，無論是DRAM，還是NAND Flash閃存，供貨吃緊程度與日俱增，價格也是水漲船高。
來自TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange的調(diào)查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，今年第三季度NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠的季度營收增長19.6%，利益率也較上季大幅進步。
與此同時，今年第四季度主流容量PC-Client OEM SSD（固態(tài)硬盤）合約均價近一年來首度大漲，MLC-SSD漲幅達6～10%，TLC-SSD則上漲6～9%。由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換期，而且，龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略，預(yù)計2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持續(xù)走高。
市場如此缺貨，價格這么誘人，各大存儲器廠家都在磨刀霍霍，準(zhǔn)備大干一場。除了擴充產(chǎn)能之外，在工藝革新方面更是費勁心力，以求在競爭激烈，且錢景美好的2017年占據(jù)有利位置。
圖片來源：DRAMeXchange
美光3D NAND產(chǎn)能超2D，64層堆棧蓄勢待發(fā)
昨天，美光（Micron）傳出消息，該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底將大規(guī)模量產(chǎn)。
目前，市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量，或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2D NAND閃存好得多，廠商也會借此降低成本，提高產(chǎn)量。以美光為例，他們的2D NAND閃存主力是16nm工藝的，MLC/TLC閃存的核心容量不過128Gb，而3D NAND技術(shù)的MLC閃存核心容量就有256Gb，TLC更是達到384Gb，大大高于2D NAND閃存。
在轉(zhuǎn)向3D NAND方面，實力最強的三星跑得最快，東芝/閃迪、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比較慢的了，不過一旦3D NAND閃存開始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢，產(chǎn)能超過2D NAND閃存是遲早的事。美光CFO Ernie Maddock在參加巴克萊銀行全球技術(shù)、媒體及通訊大會上就確認(rèn)，該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能與2D NAND閃存已經(jīng)來到拐點上，也就是說3D閃存的產(chǎn)能（以bit容量計）要超過2D NAND閃存了。
Ernie Maddock還提到他們第一代3D NAND閃存在降低成本上已經(jīng)達到預(yù)期目標(biāo)，此前美光在今年上半年的路線圖上指出3D NAND閃存比2D NAND降低至少20%的成本，現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn)了20-25%的成本降低。
對美光來說，好事還不止這一件，他們的第二代3D NAND閃存也要量產(chǎn)了，早前美光公布消息稱第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工廠開始生產(chǎn)，相比目前的32層堆棧，第二代3D NAND閃存堆棧層數(shù)提升到64層，容量進一步提高，成本也會進一步降低30%。
據(jù)統(tǒng)計，美光2016會計年度第四季（6～8月）出貨量增長13%，平均銷售單價下滑1%，非易失性內(nèi)存營收增長10%，達到10億美元，在產(chǎn)品營收比重上，移動式NAND閃存微幅上升至18%、SSD則占13%，車用及其他類別占約19%。
據(jù)悉，美光3D-NAND Flash在客戶端得到了不錯評價，其用戶級SSD也已開始量產(chǎn)出貨，而企業(yè)級SSD的季度出貨量更是大幅增長了45%。
希捷聯(lián)手SK海力士搶灘SSD？
相對于HDD硬盤需求的疲軟，NAND閃存及SSD固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了存儲市場的當(dāng)紅明星。不論是在移動設(shè)備、個人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場上都在快速成長。
眼下，SSD硬盤取代HDD已經(jīng)是大勢所趨，NAND閃存漲價是不可能阻擋的。HDD玩兒家現(xiàn)在只剩下西數(shù)、希捷及東芝等少數(shù)廠商，東芝本身就是NAND大廠，而西數(shù)收購閃迪之后也一躍成為重量級SSD公司，希捷出路何在？以希捷的實力，收購余下的NAND公司有些困難，前些天，有爆料稱希捷準(zhǔn)備與SK 海力士組建合資公司進軍服務(wù)器、云數(shù)據(jù)SSD市場。
同樣受惠于智能手機的eMMC／eMCP需求，及其他品牌新機上市的備貨需求帶動，使得第三季度SK海力士NAND Flash出貨量增長12%，平均銷售單價更是增長7%，營收也大幅增加20.3%，至10.61億美元。
據(jù)悉，SK海力士3D-NAND Flash的產(chǎn)能在今年底前將達每月2～3萬片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可開始放量出貨，第四代3D-NAND Flash有機會在明年下半年開始少量生產(chǎn)。
希捷自身并非沒有SSD業(yè)務(wù)，實際上希捷在SSD領(lǐng)域布局還挺早，很多人都知道希捷收購了知名SSD主控廠商SandForce，8月份的時候希捷還宣布了全球容量最大的60TB SSD硬盤，但是希捷缺少關(guān)鍵的NAND供應(yīng)，這方面只能依靠其他公司，要想做大做強，NAND供應(yīng)問題必須解決。
西數(shù)收購閃迪之后，全球剩下的NAND豪門還有三星、美光、SK Hynix、東芝、Intel等，這些公司的SSD業(yè)務(wù)要么不可能出售，能出售也會是天價，希捷在HDD市場營收、份額都并不如西數(shù)，是否如西數(shù)那樣有魄力收購一家大型NAND供應(yīng)商還是個問題。
有關(guān)希捷準(zhǔn)備與SK Hynix成立一家合資公司的事宜，現(xiàn)在還沒有官方證實，細節(jié)也無從得知，不過這兩家抱團的話也并不意外，現(xiàn)在服務(wù)器、云數(shù)據(jù)領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊是三星和Intel，SK Hynix和希捷合作的話剛好可以互補。
三星下半年投資破紀(jì)錄
2016下半年，三星為強化競爭力，資本支出毫無保留，估計預(yù)算超過17兆韓元，較2013年同期所創(chuàng)史上最高紀(jì)錄14.72兆韓元，還要高出一大截（15.5%）。三星上半年已砸了8.8兆韓元，這使其全年投資額突破26兆韓元，而3D NAND閃存則是其下半年重點投資項目。
據(jù)三星執(zhí)行董事 Lee Myung-jin 表示，3D NAND 芯片與 OLED 面板需求都呈現(xiàn)爆發(fā)性增長，因此也是今年投資重點。三星希望通過大規(guī)模擴充產(chǎn)能，在上述領(lǐng)域擴大領(lǐng)先優(yōu)勢。
由于第三季度中國智能手機品牌對于高容量eMMC／UFS的需求強勁，讓三星成為最大贏家。三星在高容量的eMMC／UFS與eMCP市占率在行業(yè)領(lǐng)先，企業(yè)級SSD產(chǎn)品更是憑借出色的性價比，增長強勁。第三季度，三星NAND Flash出貨量增長約20%，營收增長約20%。
第四季度，智能手機的需求將帶動高容量eMMC／UFS與eMCP的需求攀升至年度高點，再加上三星在用戶級、企業(yè)級SSD的市占率增加，預(yù)估三星的表現(xiàn)將較第三季更出色。
東芝力推15nm閃存
而作為閃存的發(fā)明者，同時也是存儲器另一大廠，東芝電子現(xiàn)有第二半導(dǎo)體廠已全力生產(chǎn)3D-NAND Flash，第四季度產(chǎn)能達每月４萬片，等到2017年64層堆棧的3D-NAND Flash順利量產(chǎn)后，產(chǎn)能提升速度將更快，而其第六半導(dǎo)體廠房新建計劃，將從明年二月開始動工。
不久前，東芝正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1閃存，使用的是15nm 工藝，這使其成為現(xiàn)今全球尺寸最小的閃存芯片。
新的UFS芯片基于東芝的15nm MLC NAND工藝，其容量從32GB到128GB幾種規(guī)格。順序讀寫速度分別為850MB/s和180MB/s，較舊型號提高了約40%和16%，而隨機讀取和寫入性能分別提高了約120%和80%。
eMMC 5.1閃存速度比不上UFS，不過eMMC閃存是中低端手機的首選。東芝的eMMC 5.1閃存也是15nm工藝，不過官方?jīng)]確認(rèn)是MLC還是TLC的，估計后者的可能性更大，畢竟成本更低。
安卓陣營的廠商地位還是不如蘋果，東芝現(xiàn)在對外提供的容量最多128GB，也沒用3D NAND技術(shù)，而iPhone 256GB版使用的是東芝48層堆棧的3D NAND閃存。
值得一提的是，東芝不僅使用自家的閃存，主控也是自己開發(fā)的，而其還在開發(fā)自己的M-PHY 3.0物理層及UniPro 1.6。
中國NAND閃存市場大有可為
目前，中國已經(jīng)成為NAND閃存的最大市場，而SSD固態(tài)硬盤也是增長最快的市場。因此，也吸引了各廠商的競相投入。包括三星在中國西安投資的NAND工廠已經(jīng)投產(chǎn)，主要產(chǎn)品就是3D NAND閃存。而英特爾也把大連的封測工廠改造成NAND工廠，預(yù)計2016年底開始小量生產(chǎn)，主力產(chǎn)品很有可能就是3D XPoint閃存。
同時，NAND閃存也成為我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵一環(huán)，因此，近幾年國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金選擇了NAND閃存做為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點投資項目，也借以扶植本土廠商的成長。
目前，正在進行中的項目，主要有耗資超過240億美元，由武漢新芯科技主導(dǎo)的國家級存儲芯片基地，第一期工廠以生產(chǎn)NAND閃存為主，預(yù)計2018年正式投產(chǎn)3D NAND閃存。另外，在深圳、廈門、泉州以及合肥等地也在積極拓展存儲芯片產(chǎn)業(yè)，地方政府的投資也是大手筆。
除了NAND閃存之外，中國廠商也在積極進軍增長快速的SSD固態(tài)硬盤控制IC市場。目前，SSD固態(tài)硬盤的控制IC市場主要是由美系Marvell、SandForce，及中國臺灣廠商慧榮（SMI）、智微（JMicron）等公司主導(dǎo)。但市場中也開始出現(xiàn)中國大陸公司的身影，如Marvell就跟深圳的江波龍公司達成了合作協(xié)議，其他如瀾起微電子、中勍科技、國科微電子等公司也宣布了類似的計劃或者產(chǎn)品，只不過目前還沒有成氣候。
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