三星3D NAND閃存要堆100層

東芝、美光近來(lái)積極布局3D立體堆疊的NAND閃存架構(gòu)，東芝已經(jīng)做到64層，讓這方面的領(lǐng)導(dǎo)者三星感到壓力山大，日前也宣布了自己的第四代V-NAND，同樣達(dá)到64層，存儲(chǔ)密度比現(xiàn)在提高30％，硬盤(pán)最大容量可以做到驚人的32TB。

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，基于第四代V-NAND閃存的三星固態(tài)硬盤(pán)將在今年第四季度上市，但具體產(chǎn)品不詳——860 EVO？

三星2013年全球第一家量產(chǎn)了3D NAND，第一代24層，第二代增加到32層，當(dāng)前的第三代為48層。

統(tǒng)籌三星半導(dǎo)體部門(mén)的金奇南社長(zhǎng)還透露：“預(yù)計(jì)在不久的將來(lái)，三星將會(huì)推出100層以上堆疊的1TB等級(jí)的閃存產(chǎn)品。”