三星將會在西數/東芝之前批量生產64層3D NAND，并且目前正在研究3D XPoint內存技術。而西數/東芝此前宣布他們已經開始生產64層3D NAND，對于三星來說，這正是一個宣布自己將會在年底前批量生產64層3D NAND的好時機。

據稱，西數/東芝將會在2017年年中開始批量生產最早的256Gbit芯片，比三星晚了近6個月。

三星的一位代表在財報電話會議上表示："我們的目標是在今年年內批量生產采用我們4G-NAND的SSD。"

在這次會議上，來自三星內存市場團隊的Sewon Chun表示："我們正在有條不紊地執行第四代V-NAND開發計劃以及18納米DRAM的批量生產工作。"這里所說的第四代V-NAND就是64層技術。

他補充說："整體需求預計是增長的，這要歸功于市場對主流SSD和移動應用中高密度解決方案產品不斷增加的需求，下半年供需會變得更加緊密，因為3D NAND更新推遲導致供應緊縮。"

這意味著價格可能會上漲。

西數/東芝將會通過從目前的第二代256Gbit BiCS 3D NAND芯片過渡到最終的512Gbit 64層芯片來提高密度。

三星的第三代48層V-NAND 3D NAND芯片是256Gbit，我們要看看64層V-NAND是否會直接翻番到512Gbit，讓三星趕超西數/東芝。而且這將意味著三星的SSD容量也會翻番，在容量以及每GB成本上趕超英特爾/美光、海力士以及西數/東芝。

西數/東芝正在努力擴展64層技術向128層發展，可能會通過堆疊2個64層芯片來實現。

三星對自己未來分層技術的規劃三緘其口："在分層方面，我認為現在談論我們可以實現多少層還為時過早。目前我們正在規劃中長期的迭代，同時考慮其他性能的內存技術。"

三星在財報電話會議上評論了英特爾/美光的3D XPoint內存："關于你提到的3D交叉點技術，我認為這主要是滿足了來自高端平臺的需求，而且被作為降低DRAM成本的一種替代性解決方案。但是我們不認為這將在整體市場中占據顯著份額。我們還認為，這種技術要真正形成一個市場的話還需要一些時間。"

"而且我認為存在一種局限性，3D交叉點并不是一項標準技術。所以我們對于這種技術的基本對策是專注于DRAM和NAND，同時也關注新的內存技術。"

我們認為，這可能是一種電阻式RAM或者相變內存。