三星在3D NAND閃存上量產時間最早，產能也是最高的，領先其他公司至少三年時間，其V-NAND技術的3D NAND已經發展到第三代了，48層堆棧。東芝、西數此前宣布四日市的新工廠竣工，并且早就開始生產3D NAND閃存了，現在雙方又公布了其3D NAND閃存的最新進展——64層堆棧的BiCS 3D閃存已經開始出樣，比之前的48層堆棧更先進，預計2017年上半年正式量產。

對于3D NAND閃存，全球四大NAND豪門——三星、東芝/西數（閃迪已經被西數拿下）、SK Hynix、美光/Intel都有不同的解決方案，堆棧的層數也不同。

作為NAND閃存的發明人，東芝研發的3D NAND使用的是BiCS技術，號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。目前量產的是48層堆棧，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb。

東芝、西數目前宣布的新一代BiCS閃存是64層堆棧的，核心容量256Gb（32GB），未來還會推出容量高達512Gb的產品。東芝表示64層堆棧的3D NAND閃存單位面積容量增加了40%，每片晶圓所能生產的NAND容量也變大了，成本隨之降低。

東芝的64層堆棧3D NAND閃存已經開始出樣給客戶，2016年底有可能看到部分零售產品，但真正規模量產還要等到2017年上半年。