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首個64層3D NAND閃存技術出現

責任編輯:editor005 |來源:企業網D1Net  2016-07-27 15:36:51 本文摘自:ZDNet至頂網

 

首個64層3D NAND閃存技術出現

256GB 3位元型芯片是目前行業最小芯片

西部數據公司今日宣布成功開發出下一代3D NAND閃存技術BiCS3,具有64層垂直存儲功能。BiCS3由西部數據公司與制造商東芝公司聯合開發,初步的閃存容量為256GB,且在單芯片上的容量最高可達0.5TB。目前,西部數據已經在其位于日本四日市的合資企業開始試產,預計今年晚些時候完成初產。公司計劃在2017年上半年開始商業化量產。

西部數據存儲技術執行副總裁Siva Sivaram先生表示:“在我們64位架構基礎上發布下一代3D NAND技術,將增強我們在NAND閃存技術領域的領導地位。BiCS3采用了3位元型技術,并在高深寬比半導體處理上實現進展,能夠以更優成本提供更高容量、出色性能,并具有更高的可靠性。這項技術與BiCS2一道,大幅擴寬了我們的3D NAND產品組合,提升了我們滿足零售、移動和數據中心整體客戶應用需求的能力。”

西部數據希望在2016年第四季度能夠向零售市場批量交付BiCS3,本季度開始OEM取樣檢驗。同時,公司將繼續為零售和OEM客戶交付上一代3D NAND技術BiCS2產品。
 

關鍵字:NAND閃存西部數據

本文摘自:ZDNet至頂網

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首個64層3D NAND閃存技術出現

責任編輯:editor005 |來源:企業網D1Net  2016-07-27 15:36:51 本文摘自:ZDNet至頂網

 

首個64層3D NAND閃存技術出現

256GB 3位元型芯片是目前行業最小芯片

西部數據公司今日宣布成功開發出下一代3D NAND閃存技術BiCS3,具有64層垂直存儲功能。BiCS3由西部數據公司與制造商東芝公司聯合開發,初步的閃存容量為256GB,且在單芯片上的容量最高可達0.5TB。目前,西部數據已經在其位于日本四日市的合資企業開始試產,預計今年晚些時候完成初產。公司計劃在2017年上半年開始商業化量產。

西部數據存儲技術執行副總裁Siva Sivaram先生表示:“在我們64位架構基礎上發布下一代3D NAND技術,將增強我們在NAND閃存技術領域的領導地位。BiCS3采用了3位元型技術,并在高深寬比半導體處理上實現進展,能夠以更優成本提供更高容量、出色性能,并具有更高的可靠性。這項技術與BiCS2一道,大幅擴寬了我們的3D NAND產品組合,提升了我們滿足零售、移動和數據中心整體客戶應用需求的能力。”

西部數據希望在2016年第四季度能夠向零售市場批量交付BiCS3,本季度開始OEM取樣檢驗。同時,公司將繼續為零售和OEM客戶交付上一代3D NAND技術BiCS2產品。
 

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