TrendForce旗下拓墣產業研究所25日發布研究報告稱，隨著紫光國芯（原同方國芯）加大投資、武漢新芯擴廠及三星和英特爾等國際廠商增加產能，2020年中國國內閃存月產能將達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
拓墣研究經理林建宏表示，中國國內廠商要在突破內存自制缺口的政策方針下發展閃存晶圓制造，可以通過NAND閃存產品特性、3D NAND需求、新興市場的增長空間等方向切入。
責任編輯：editor005
作者：王宙潔
2016-04-26 15:18:00
摘自：中國證券網
TrendForce旗下拓墣產業研究所25日發布研究報告稱，隨著紫光國芯（原同方國芯）加大投資、武漢新芯擴廠及三星和英特爾等國際廠商增加產能，2020年中國國內閃存月產能將達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
TrendForce旗下拓墣產業研究所25日發布研究報告稱，隨著紫光國芯（原同方國芯）加大投資、武漢新芯擴廠及三星和英特爾等國際廠商增加產能，2020年中國國內閃存月產能將達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
拓墣研究經理林建宏表示，中國國內廠商要在突破內存自制缺口的政策方針下發展閃存晶圓制造，可以通過NAND閃存產品特性、3D NAND需求、新興市場的增長空間等方向切入。
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