錢鐘書先生將婚姻比喻為圍城：城外的人想進去，城里的人想出來。有趣的是，在半導體行業，以紫光為代表中國力量在瘋狂收購國外企業，但與此同時，英特爾卻在聯合清華大學、瀾起科技，研發融合可重構計算的新一代通用處理器，正在上演一場另類圍城。

紫光入股Lattice

據《華爾街日報》報道，4月15日，清華紫光集團在周三向美國當局提交了一份監管文件，已經通過在公開市場上購買股票的方式積累了Lattice半導體公司 6%股份，而Lattice是一家總部設在俄勒岡州波特蘭的一家芯片生產商，其主要業務是生產低能耗可編程微處理器。

有趣的是1月21日，清華大學、英特爾公司和瀾起科技聯手研發融合可重構計算和英特爾x86架構技術的新型通用處理器，這里所說的可重構計算實際上就是所謂低能耗可編程微處理器，也就是FPGA。4月12日，融合了瀾起科技混合安全雙列直插式內存模組（HSDIMM）、清華大學的可重構技術處理器（RCP）模塊，以及英特爾的高性能至強處理器的新一代數據中心處理器平臺正式對外發布，新的處理器平臺對外命名為“津逮”，首款產品有望于2017年底、2018年初就緒，為此推動“津逮”，三方還發起成立了“子晉聯盟”。

從入股Lattice，到發布“津逮”，紫光、英特爾的目的未必完全相同。盡管紫光對Lattice的投資僅為4160萬美元，但外電認為顯示了中國對半導體制造技術的興趣。外電認為中國正尋求建立起一個具有較高競爭力的芯片行業，為此最多的資金多達1萬億元人民幣（約合1540億美元）。

發力大存儲制造

長久以來，中國半導體制造產業長期落后，與國外的差距至少一代半。半導體制造所面臨的差距，也制約了國產IT設備的自主可控的能力。隨著中國經濟的發展，實力的增強，實現半導體制造上的“彎道超車”，就成為一種主要的訴求。

3月28日，總投資達240億美元（約合1600億元人民幣）、占地約2500畝的武漢新芯存儲器基地開工建設，該基地主要生產3D NAND Flash芯片和DRAM芯片；建成后產能預計將達到30萬片每月，希望可以填補我國在該制造領域的空白。“再也不能錯過3D NAND技術的發展機遇了。”武漢新芯執行副總裁商務長陳少民說。

所謂過3D NAND技術，也被國內政府行業領導稱為“大存儲產業”。從技術上來說，3D NAND屬于新興存儲介質，用于替代傳統的磁盤的磁介質，代表著存儲產業新一輪革命。就制造技術而言，工藝技術在某種程度上領先處理器。以最新發布英特爾E5 V4至強處理器為例，采用14nm工藝制造。而這樣的技術，早已經用于生產NAND閃存芯片了。

如今，CPU制造受到工藝技術“天花板”的制約，發展速度減緩，最近英特爾宣布延緩沿用多年的“Tick-Tock”鐘擺戰略，推出了新的“制程-架構-優化”（PAO）三步走戰略。同樣的，以2D MLC為核心的企業級NAND也面臨新的問題。

就像多核處理器一樣，NAND開始從2D向3D發展，從平面設計向立體空間發展。隨之而來的將是更大的容量，更低的成本。而成本正是制約閃存替代磁盤的關鍵。

與2D相比，3D制造不追求更高的制程技術，傾向采用上一代制程技術，對于國產半導體來說，似乎從中看到了希望的曙光，無論如何，客觀上提供了可能。但不要絲毫看低其中的難度，工藝技術有所降低，但設計的復雜度，同樣不能夠忽視。

4月1日，英特爾E5 v4處理器發布的同時，英特爾同時發布了P3320/P3520，以及D3700/D3600兩款固態硬盤，其中，P3320/P3520就是采用了3D TLC技術制造。沒錯，是3D TLC，至于為什么不是3D MLC，其中的緣由，我們也在分析和學習中。總之，一句話，3D NAND時代，大存儲產業的時代到來了。

小結

不論是走出去，還是請進來；加速趕超也好，彎道超車也罷。這個時代前所未有。路漫漫其修遠兮，吾將上下而求索，期待以紫光、新芯為代表的中國力量有 更加精彩的表現。