隨著落戶于武漢東湖高新技術開發區的國家存儲器基地項目啟動建設，中國發展半導體存儲器產業終于邁出實質性步伐。對于半導體存儲器的重要性，已經毋庸多言。無論是發展消費電子，還是數據中心，存儲器都是必不可少的關鍵組件。在中國每年進口的大量集成電路芯片中1/4為存儲器。這樣巨大的需求量，如果完全依靠海外供應，對于產業發展和信息安全保障，都是明顯的軟肋。
圍繞中國要不要發展存儲器產業，業界有觀點認為，中國發展存儲器產業已經錯過最好的時機，哪怕再早6~7年(2009年)，那時全球的存儲產業仍可勉強算得上是“多頭”格局，中國發展存儲器，仍有更多合作的選擇。此后發生了奇夢達破產、爾必達被收購等變動。可是現在，存儲器產業已經高度壟斷，專利技術成為中國企業繞不開的難題。
但是，我們更要強調的是，“亡羊補牢，猶未為晚”。雖然我們喪失了一個相對有利的入局機會，但是半導體產業具有一個重要特點，即技術革新永遠不會停滯。創新技術的出現，市場需求的轉變，產業結構的變化，企業發展速度的換檔，都會給后進入者彎道超車的機會。
3D閃存技術正是當前中國存儲業面臨的一個重大發展機遇。NAND閃存有平面閃存和3D閃存之分。平面閃存是存儲單元在晶圓表面二維平面排列，3D閃存通過增加存儲疊層，實現三維的存儲陣列結構。平面閃存進入1x納米節點之后，器件耐久性和數據保持特性持續退化，企業已經很難解決集成度提高和成本控制間的矛盾，采用3D閃存技術已經不可避免。
目前三星是唯一能量產3D NAND的廠商，東芝(日本)和海力士(韓國)也都已發布2016年48層3D NAND的量產計劃。然而，不同于基于微縮技術的平面閃存，3D閃存的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大，而且除了三星，其他企業在3D閃存布局方面走得并不遠。中國企業有機會通過技術合作、專利授權許可，快速切入該領域。同時還能避免國際企業在傳統技術研發中的設備折舊優勢。
根據DRAM exchange估計，2016年年底3D NAND將占全球NAND的20%，而去年僅為6%。3D閃存技術等、存儲產業仍然擁有大量可以深入挖掘的空間。這也正是中國存儲器產業發展的希望所在。
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