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聯(lián)電斥資6.3億美元啟動擴產(chǎn) 廈門28nm一年擴增至2.5萬片/月
在產(chǎn)能利用率方面，由于來自電腦周邊、消費性產(chǎn)品的訂單需求強勁，2017年第三季度聯(lián)電8吋廠的產(chǎn)能利用率接近滿載，同時12吋廠的成熟制程產(chǎn)能利用率也超過90%。
聯(lián)電8吋廠產(chǎn)能利用率接近滿載 創(chuàng)歷史新高
及世界先進(5347)公告10月營收。晶圓代工龍頭臺積電將在今(10)日公告10月營收，由于蘋果A11 Bionic應用處理器出貨持續(xù)放量，法人看好營收可望維持900億元以上高檔。
創(chuàng)近9季新高：聯(lián)電Q3凈利潤34.73億新臺幣
晶圓代工廠聯(lián)電日前公布第三季度運營數(shù)據(jù)， 第3季歸屬母公司凈利34 73億元新臺幣，創(chuàng)近9季來新高紀錄，每股純利潤0 28元。聯(lián)電第3季營收376 98億元，季增0 4%
聯(lián)電對Q4展望續(xù)保守 估晶圓出貨季減3~4%
聯(lián)電對今年第四季看法仍保守，預期第四季的營運狀況將比第三季持續(xù)下滑，主要原因來自于年底典型的季節(jié)性調(diào)整，以及28納米HKMG的需求仍將趨緩。關注電子行業(yè)精彩資訊，關注華強資訊官方微信，精華內(nèi)容搶鮮讀，還有機會獲贈全年雜志
臺積電董事長張忠謀誤打誤撞跨入半導體業(yè)，不過，臺積電的成功，并不是令人意外的結果，專注應是臺積電稱霸全球晶圓代工業(yè)一大關鍵。
聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構陷入罪，但強調(diào)DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術開發(fā)。
聯(lián)電：暫不參與先進制程競賽 專注提升28和14納米競爭力
晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進制程競賽，專注提升28納米和14納米制程的競爭力。 針對暫緩參與10納米以下先進制程競賽，簡山杰強調(diào)，現(xiàn)階段采取務實策略，雖會開發(fā)新技術，但對新技術重新定義，不再是14納米、10納米、7納米一路追。
再者，在大整并后的DRAM產(chǎn)業(yè)，臺灣扮演的角色可以變成DRAM專業(yè)代工廠，或是多元化利基行存儲器供應商。 聯(lián)電表示，確實有員工接獲訴訟通知，不過，僅個人行為，與公司無關，DRAM 技術研發(fā)計劃持續(xù)不變。
聯(lián)電暫停先進工藝研發(fā)，晶圓代工進入三強爭霸時代
晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進制程競賽，專注提升28納米和14納米制程的競爭力。 針對暫緩參與10納米以下先進制程競賽，簡山杰強調(diào)，現(xiàn)階段采取務實策略，雖會開發(fā)新技術，但對新技術重新定義，不再是14納米、10納米、7納米一路追。
晶圓代工大廠聯(lián)電共同總經(jīng)理簡山杰、王石掌舵近2個月，營運轉(zhuǎn)為務實導向，不再追趕臺積電先進制程，對外釋出10、7納米制程暫緩跟進訊息，改走自己的路，預計靠現(xiàn)有制程提高投資獲利，贏得外資法人認同。
在半導體行業(yè)，先進的制造工藝無疑是一大法寶，各大代工廠、芯片廠經(jīng)常都會不惜一切代價追逐新工藝。聯(lián)電還計劃明年年中推出新工藝22nm ULP，不過并非全新設計，而是基于28nm的改進版，名字好聽點而已。
市場更是傳出，美光這一行動已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠設置的試產(chǎn)線停產(chǎn)。
聯(lián)電14nm FinFET工藝正式量產(chǎn)，28nm可來內(nèi)地
隨著聯(lián)電14nm工藝的量產(chǎn)，他們的28nm產(chǎn)能也可以轉(zhuǎn)移到大陸合資的聯(lián)芯電子了。根據(jù)聯(lián)電公司資料，他們的14nm FinFET工藝技術水平達到業(yè)界標準，性能比28nm工藝快55%，功耗減少約50%，晶體管密度則達到兩倍。
驚傳！聯(lián)電28nm研發(fā)團隊被華力整體挖角！
據(jù)報導，近期業(yè)界傳出大陸上海華力微電子為解決制程瓶頸問題，盡快量產(chǎn)為聯(lián)發(fā)科代工的芯片，挖走聯(lián)電一批為數(shù)高達50人的28納米研發(fā)團隊。華力微及中芯半導體是大陸官方扶植的兩大邏輯晶圓廠，主要客戶分別為聯(lián)發(fā)科及高通兩大處理器芯片大廠。
中芯國際拼制程，有機會超越聯(lián)電登上全球老 3 位置
21 日傳出聘請前臺積電高層蔣尚義但任獨立董事的中國大陸最大晶圓代工業(yè)者中芯國際 （SMIC），因為在 2016 年之內(nèi)，先后宣布 14 納米制程將在 2018 年投產(chǎn)，以及 2016 年投資金額提升至 25 億美元的消息。
紫光再挖走臺籍半導體高管：前聯(lián)電CEO孫世偉加盟紫光
大陸發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)決心之大、投資之高已經(jīng)驚動了美國業(yè)界，認為這將會影響美國競爭優(yōu)勢甚至威脅美國國家安全。與紫光在武漢進行的晶圓廠專注存儲芯片不同，成都地區(qū)的晶圓廠主要是針對邏輯芯片，這是構建紫光集團“從芯到云”的關鍵。
晶圓代工廠聯(lián)電表示，為達成循序購并和艦科技的目標，以拓展海外市場、加速業(yè)務成長，提供未來營運成長動力，公司董事會 14 日決議
臺積電 聯(lián)電 世界先進受惠半導體需求持續(xù)加溫，10月份交出亮麗成績
受惠于2016年整體半導體發(fā)展持續(xù)暢旺的影響，中國臺灣地區(qū)晶圓代工廠商 10 月份業(yè)績也陸續(xù)傳出好表現(xiàn)的消息。聯(lián)電表示，看好第 4 季個人電腦市場有不錯表現(xiàn)，通訊應用處理器與基頻芯片需求也將持續(xù)成長的情況下。
DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。
布局物聯(lián)網(wǎng)應用 聯(lián)電、智原合作55納米ULP平臺
聯(lián)電和智原合作55納米超低功耗制程(55ULP)的PowerSlash基礎IP方案，針對無線物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長期壽命需求提出適合的解決方案，雙方寄望這樣的合作可以為超低功耗積體電路設計平臺帶來新的基準。
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