近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12寸廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創新（GigaDevice）合作的合肥長芯，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。
盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現，長江存儲將與已并購飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3D NAND技術，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。
目前大陸DRAM勢力處于戰國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。
長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術發展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規范，若是自行研發DRAM技術必須先量產3D NAND，但若對外購買技術則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產，并獲得專利保護傘。
長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權，業界亦傳出正著手評估自建或并購現有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12寸晶圓廠，長江存儲執行長楊士寧則表示，將以并購現有晶圓廠為第一考量。
近期武漢新芯12寸新廠已經動起來，單月產能規劃30萬片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自制，希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術，以爭取大陸DRAM產業寶座。
聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工，預計2018年進入量產，業界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯電在南科廠同時進行25、30nm技術研發，預計2017年底完成技術開發，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。
盡管福建晉華至少要投入25nm以下制程技術，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯電采取較謹慎作法，避免一下子投入25nm技術開發面臨失敗風險，遂同時研發30nm作為備案。
大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長芯，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計，然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1000億元，同時進行DRAM研發和制造，但此一作法可能有IP侵權的風險。
目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展，希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拼量產并陷入激戰。
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