兆易創新與合肥市產業投資控股(集團)有限公司最近簽署《關于存儲器研發項目之合作協議》，約定雙方在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發項目，項目預算約為180億元。此前，業界一直有兆易創新將與合肥長鑫合作發展DRAM內存芯片的消息傳出。此協議的簽署表明兆易創新正式加入存儲競爭格局。
國際大廠力量強勢 中國存儲器明年迎 “大戰”
除兆易創新以及合肥長鑫外，國內投入存儲芯片的主要企業還包括長江存儲和福建晉華，目前三大存儲芯片企業均在加緊建設存儲芯片工廠，最快的預計將于明年下半年開始投產。也就是說，2018年有望成為國產存儲器主流化發展元年。
兆易創新正式入局DRAM內存競爭
10月31日晚間，兆易創新發布重大事項停牌公告，稱擬籌劃重大事項，該事項可能涉及發行股份購買資產。業界分析此舉或與合肥方面簽署180億元存儲器項目有關。根據合作協議，兆易創新將在合肥市經濟技術開發區空港經濟示范區內開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)的研發，目標是在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率不低于10%。項目預算達180億元，兆易創新與合肥產投將根據1∶4的比例負責籌集，兆易創新負責籌集約36億元。
當前，兆易創新的主導產品為特種存儲器NORFlash，是全球五大NORFlash供應商之一，同時也供應SPINAND和SLCNAND等。兆易創新一直希望進入主流存儲器DRAM內存市場。此前，兆易創新曾計劃收購芯成半導體(ISSI)，作為DRAM研發基地。芯成半導體是國際主要SRAM供應商之一，也有部分DRAM產品。該合作案終止后，兆易創新又轉而啟動了與合肥的合作研發計劃。作為合肥發展存儲器的主要平臺，合肥長鑫計劃投資72億美元建設存儲芯片工廠，以DRAM存儲芯片為主。
目前國內主流存儲器芯片的參與者主要有三家，分別是國家集成電路產業投資基金和紫光集團共同投資的長江存儲、福建晉華和合肥長鑫。長江存儲初期定位于3DNAND生產，后期將進行DRAM產品的開發。9月28日，長江存儲的一號生產及動力廠房實現提前封頂，預計將于2018年投入使用，項目(一期)達產后，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。長江存儲CEO楊士寧表示，在武漢將產生距世界前沿最近的中國自主生產的存儲器芯片產品，滿產后能供應國內存儲芯片需求的50%以上。
福建晉華以DRAM存儲芯片為主，投資額達到370億元，預計2018年投產。其與中國臺灣地區主要代工廠之一的聯電合作，由后者協助開發DRAM存儲芯片技術。日前，聯電表示將于明年第四季度完成第一階段技術開發。
國際大廠擴產將形成價格壓力
根據三家存儲廠的規劃，研發及投產的時間點大多落在2018年。因此，明年將成為國產存儲器發展的關鍵一年。而從市場狀況來看，2017年全球內存芯片價格持續高漲，集邦咨詢數據顯示，2017年全球內存平均銷售單價較去年增長35.2%，全球內存產業營收增長60%～65%。如果這種局面得以延續，對新投入存儲市場的中國企業來說將是一大利好，對開局是一個有利條件。
然而，日前有消息稱，三星等國際存儲器大廠已有2018年擴產的計劃。集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)研究協理吳雅婷指出，以主流標準型內存模組(DDR44GB)合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的13美元均價拉升至今年第四季度合約價30.5美元，報價連續6個季度增長，合計漲幅超過130%，帶動相關DRAM大廠獲利能力大幅提升。在連續數季內存價格上升的帶動下，SK海力士、美光皆累積許多現金在手。有了豐沛的資源，SK海力士將在年底展開18nm制程，無錫二廠也將在明年興建，預計2019年產出;美光借著股價水漲船高之際宣布現金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產能與制程升級上做好了準備;三星也有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產線，部分轉往生產DRAM，并全數采用18nm制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產，預計三星此舉最多將2018年DRAM產出量提升80K~100K晶圓，帶動三星明年產出供給量由原本預估的增長18%上升至23%。
三星等國際大廠的擴產勢必壓抑內存價格上漲幅度，同時也將提升中國企業的進入門檻。
產業鏈密切協作推進存儲產業
市場對存儲芯片的需求在不斷增長，根據ICInsights的數據，2016年規模最大的細分市場是邏輯電路，容量為883億美元;存儲芯片市場容量居第二位，為743億美元，兩者的差距已縮小到20%以內。中國是全球最大的服務器、PC和智能手機市場，對存儲芯片的需求也極為龐大。然而，面對國際巨頭產能技術市場等全方位領先優勢，中國發展存儲芯片勢必面臨巨大挑戰。
對此，兆易創新董事長兼總經理朱一明指出，目前中國企業在特殊存儲器市場已經形成一定基礎，但在主流存儲器如NANDFlash、DRAM方面卻存在著鴻溝。國內半導體產業崛起需要上下游產業鏈之間密切協作互助，形成合力。此前，兆易創新在NORFlash方面與中芯國際合作，發揮虛擬IDM的優勢。在DRAM方面，兆易創新也有可能采取同樣策略，與合肥長鑫形成類似合作模式。
行業專家莫大康也指出，中國發展存儲產業是一個長期的過程，不可能一蹴而就。在未來相當長的一段時間內，中國半導體業必須是一個踏踏實實的“跟隨者”與“學習者”，同樣又是一個與產業共同進步的“貢獻者”。與全球其他地區不同，此次中國傾全力來發展半導體業，因此相對實力十分強大，是全球其他地區與國家無法比擬的，即便暫時道路有些迂回，也沒有什么可怕的。
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