上周五，兆易創新宣布與合肥市產業投資控股(集團)有限公司簽署了《關于存儲器研發項目之合作協議》，將開展19nm制程工藝存儲器 (含DRAM等)的研發項目，預算約為180億元人民幣，目標是在2018年12月31日前研發成功。該項目所需投資由兆易創新與合肥投資公司根據1:4的比例負責籌集，資金投入的方式包括但不限于由雙方直接或間接股權投資或通過自身或指定主體提供借款實現。
在未來產能方面約定，項目研發及生產的DRAM等優先供兆易創新銷售并滿足其客戶的市場需求，以及優先承接其DRAM產品的代工需求。
兆易創新還發布2017年三季報，實現營業收入15.17億元，同比增長44.69%；凈利潤為3.39億元，同比增長134.7402%。10月30日早盤，兆易創新一字板漲停(今開148.64,前收135.13,漲幅10%)。
▲兆易創新股價
近幾年，國家加大對存儲產業的建設，以及加強對數據信息安全存儲的重視，產業扶持政策和新項目投資也在持續升溫中。從國家政府發布《國家集成電路產業發展推進綱要》，到國家大基金/華芯投資已投資50多個項目，40多家企業，中國集成電路產業前進的步伐正在進行中。
為了響應國家政策的號召，以及加快存儲芯片國產化。兆易創新曾計劃收購主營DRAM、SRAM等存儲芯片廠商ISSI，進軍DRAM市場。但8月3日晚間兆易創新宣布終止收購ISSI，事與愿違。現在兆易創新與合肥投資公司合作研發19nm制程工藝的存儲器，再次入局DRAM市場。
此外，合肥長鑫高端存儲晶圓制造項目目前正在施工，擬建成業界先進工藝制程的DRAM存儲器晶圓研發項目，計劃2017年廠房建成，2018年上半年完成設備安裝和調試，預計下半年生產。若兆易創新的存儲器研發和合肥長鑫制造等項目順利實施，將可助力中國在DRAM存儲芯片上提高競爭力，以及獲得充足的產能供應，有效地填補中國高端DRAM制造業的空白。
在NAND Flash方面，國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房，實現提前封頂，預計2018年投入使用。國家存儲器基地項目一期規劃投資240億美元，主要包括3棟生產廠房、研發辦公大樓以及生產配套等設施，主要生產的是3D NAND，未來總產能將達到30萬片/月。
與此同時，國內存儲器芯片設計廠商東芯半導體，采用先進的24nm閃存工藝已成功研發出8Gb SLC/16Gb MLC NAND閃存產品，這標志著中國大陸已經具備以先進制程工藝來開發、設計及制造一系列閃存芯片的能力，進一步縮小了與國際廠商技術水平間的差距。
再加上，江波龍等存儲廠商，以及硅格半導體等控制芯片設計廠商的不斷自我提升和超越，中國在存儲行業制造、設計研發等能力方面正在微露鋒芒，未來在全球存儲市場將占有一席之地，加快存儲芯片國產化的步伐。
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