9月28日消息，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房，實現(xiàn)提前封頂。
趙偉國表示，存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當(dāng)于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航。該項目實現(xiàn)提前封頂，這是為不辱使命、堅定不移推進(jìn)國家戰(zhàn)略所必須要做到的。客觀地說，我們在核心技術(shù)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上仍然與世界一流水平存在差距，實現(xiàn)追趕超越的目標(biāo)絕非一朝一夕，需要堅定的戰(zhàn)略定力和耐力，以及矢志不渝的長期投入；而另一方面，從現(xiàn)在開始到未來的5-10年，也正是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳窗口期。既然選擇了存儲芯片作為切入點(diǎn)和突破口，紫光集團(tuán)和長江存儲就一定要抓住機(jī)遇，直面挑戰(zhàn)，知難而上，通過超常規(guī)的投入縮短發(fā)展周期，迅速登上全球存儲行業(yè)的競爭舞臺。
據(jù)悉，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，項目一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開工建設(shè)，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。
此次提前封頂?shù)捻椖浚ㄒ黄冢┮惶柹a(chǎn)及動力廠房建筑面積達(dá)52.4萬㎡，預(yù)計將于2018年投入使用。項目（一期）達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
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