存儲器大廠美光科技（Micron）昨（27）日召開2017年會計年度第4季（2017年6月至8月）法說會，非一般公認會計準財（Non-GAAP）每股稀釋盈余2.02美元，優于市場預期，美光在北京時間27日晚上開盤后，截至11點為止大漲了7.9%。

美光執行長SanjayMehrotra在法說會中亦明白表示，今年底前DRAM及NANDFlash都將呈現供不應求的缺貨狀態。

受惠于DRAM及NANDFlash價量齊揚，美光2017年會計年度第4季的Non-GAAP財報大幅超標，營收季增10%達61.38億美元，較去年同期大增約91%，平均毛利率沖上51%，稅后凈利季增26%達23.86億美元，與去年同期虧損情況相較不僅由虧轉盈，獲利還大幅超越市場預期，單季每股稀釋盈余2.02美元。

美光對于2018年會計年度第1季（2017年9月至11月）的展望同樣明顯優于市場預期。營收預估介于61～65億美元之間，優于市場普遍預估的60.6億美元，平均毛利率介于50～54%，營業利益預估介于26.5～28.5億美元之間，每股稀釋盈余預估介于2.09～2.23美元之間，優于市場普遍預估的1.85美元。

美光執行長SanjayMehrotra在法說會中表示，美光1x納米DRAM、64層3DNAND的生產計劃順利進行，預估今年底前良率可達成熟穩定階段。由產業來看，今年DRAM市場位元成長率僅20%，NANDFlash位元成長率僅30～40%之間，均低于市場需求成長幅度，所以預期至今年底前，DRAM及NANDFlash都將供不應求，而且良性的產業基本面會延續到明年。

SanjayMehrotra也對2018年存儲器市場提出看法，其中DRAM產業位元成長率仍然只在20%左右，在云端運算等需求維持強勁情況下，將維持健康的供需平衡狀態。至于NANDFlash在各家業者的3DNAND產能陸續開出下，位元成長率將提升到50%左右，可望滿足目前的市場供給缺口。

集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）昨日表示，2017年NANDFlash產業需求受到智能手機搭載容量與服務器需求的帶動，加上供給面受到制程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第3季起已持續6個季度。2018年NANDFlash位元供給端將增加42.9%，需求端將成長37.7%，整體供需狀況將由2017年的供不應求轉為供需平衡。