9月28日上午10時，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房，實現提前封頂。這標志著開工9個月的國家存儲器基地項目建設向前邁出了堅實一步。
湖北省副省長周先旺，武漢市委副書記、市長萬勇，華中科技大學黨委書記路鋼，武漢市委副書記、常務副市長陳瑞峰，湖北省政府副秘書長賀盛有，武漢市委常委、東湖新技術開發區黨工委書記程用文，武漢市政府秘書長劉志輝等領導和省市發改委、財政廳局、經信委、科技廳局、消防部門和武漢海關等部門負責人蒞臨項目現場調研。紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國向到場領導介紹項目建設情況。
趙偉國董事長強調，存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航。該項目實現提前封頂，這是為不辱使命、堅定不移推進國家戰略所必須要做到的?？陀^地說，我們在核心技術和產品結構上仍然與世界一流水平存在差距，實現追趕超越的目標絕非一朝一夕，需要堅定的戰略定力和耐力，以及矢志不渝的長期投入；而另一方面，從現在開始到未來的5-10年，也正是中國集成電路產業發展的最佳窗口期。既然選擇了存儲芯片作為切入點和突破口，紫光集團和長江存儲就一定要抓住機遇，直面挑戰，知難而上，通過超常規的投入縮短發展周期，迅速登上全球存儲行業的競爭舞臺。
國家存儲器基地項目不僅承載了武漢經濟發展拼搏趕超和城市發展夢想，更是承載了國家信息安全、產業安全的戰略使命。項目建設引起了業內的高度關注，這恰恰說明了這個項目的重要性和戰略價值。自開工建設以來，湖北省和武漢市各級領導高度重視國家存儲器項目進展，多次帶隊赴現場調研，協調解決各類問題，為項目發展做好政策保障、環境保障和服務保障。湖北省將舉全省之力一以貫之地支持長江存儲公司追趕世界先進水平，掌握存儲芯片關鍵核心技術，建成世界一流的存儲器研發制造基地，為推動我國集成電路產業發展做出積極貢獻。
據悉，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，項目一期規劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。此次提前封頂的項目（一期）一號生產及動力廠房建筑面積達52.4萬㎡，預計將于2018年投入使用。項目（一期）達產后，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
湖北省和武漢市將以建設內陸自由貿易試驗區、國家中心城市為契機，集聚世界資源，全力支持國家存儲器基地建成世界集成電路產業新高地。目前，東湖高新區已為國家存儲器基地項目規劃建設1100畝配套產業園區和1500畝國際社區用地，正在加快引進產業鏈頂級配套企業和國際化人才；并加快建設武漢國際微電子學院，組建長江芯片研究院、國家先進存儲產業創新中心、存儲芯片聯盟、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產業創新中心。
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