存儲器作為智能終端產品中的重要元件，一直是芯片行業的重要組成部分，也是我國發展半導體產業的重點方向之一。今年以來在存儲器芯片領域受關注的行業事件中，東芝出售存儲芯片業務絕對要算在其中，且近日又有關于此事的消息傳出。
據金融時報報道，消息人士稱，日本政府目前正在進一步地參與到東芝出售存儲芯片業務的交易中，此前這筆交易因為種種原因進展緩慢，已經引發了投資者的不滿。
據悉，日本政府正在努力和東芝內部達成意見一致，加速交易進程。熟悉此次競購的消息人士稱，東芝存在“基礎性的公司治理缺陷”。
東芝作為全球閃存的發明者和領先企業，在市場份額上，僅次于三星電子名列全球第二。而此次出售存儲芯片業務的交易還導致東芝與合作伙伴西部數據之間發生了法律糾紛。東芝出售存儲芯片業務是為了彌補巨額虧損，避免被東京股票交易所摘牌。參與談判的銀行家和律師表示，考慮到交易的必要流程，東芝必須在8月底之前確定買家。
目前討論的焦點仍是來自由貝恩資本、日本政府基金INCJ，以及SK海力士所組成財團提出的方案。
中國芯何時閃耀世界？
存儲器是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備，存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內存條。非易失性：斷電以后，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（NAND FLASH和NOR FLASH），NOR主要應用于代碼存儲介質中，而NAND則用于數據存儲。在整個存儲器芯片里面，主要有的三種產品是：DRAM、NOR FLASH和NAND FLASH。
在芯片行業，處理器等邏輯電路一直都占第一位，不過隨著數據的不斷爆炸性增長，市場對存儲芯片的需求在不斷增長，這導致存儲芯片市場的容量正在迅速增長，估計很快將超過邏輯電路。據IC insights的數據顯示2016年邏輯電路市場容量為883億美元，存儲芯片市場容量為743億美元，兩者的差距已縮小到20%以內。其中，閃存芯片是一個發展前景廣闊的朝陽業務，目前智能手機、個人電腦配置的閃存越來越多。
目前國內在用的NAND、DRAM芯片幾乎全部依賴進口，以紫光為首的公司正在大力推動國產NAND芯片，32層堆棧的3D NAND閃存已經出樣，預計明年開始量產，2019年則要推出64層3D NAND閃存。
目前NAND閃存主要被三星、SK Hynix、美光、東芝等少數公司壟斷，然而隨著物聯網需求的發展，存儲芯片更成為電子行業的剛需。
中國也積極接入存儲產業，整合上游廠商發展出具中國自有技術并聯合中、下游的產業，形成群聚效應，進而推進中國半導體產業的進一步成長。
目前發展最快的，是紫光主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，他們的主要產品就是國產3D NAND閃存。來自中科院的消息稱，長江存儲研發的3D NAND閃存已經取得標志性進展，堆棧層數達到了32層。
相比國際大廠的研發進度，三星、美光和東芝都開始向72層及以上的研發加快步伐，國內的研發進程還有一定距離。
不過，3D閃存工廠的生產裝備將在2018年Q1季度完成安裝，2019年則會完全量產。目標是在2020年時技術上達到國際領先的存儲芯片供應商的水平，實現存儲芯片的后發先至。
中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產能，而國家存儲芯片基地更是在萬眾矚目下迅速壯大。在強大的市場需求及中國政府的財政支持下，我們希望能早日看到“中國芯”的產品出現在世界的舞臺。
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