美國IBM公司的研究人員近期宣布，已經(jīng)攻克了碳納米管生產(chǎn)中的一個主要挑戰(zhàn)，這將有助于生產(chǎn)出具有商業(yè)競爭力的碳納米管設(shè)備。
過去幾十年，半導(dǎo)體行業(yè)嘗試向單塊計(jì)算機(jī)芯片中集成更多硅晶體管，從而不斷加強(qiáng)芯片的性能。不過，這一發(fā)展很快就將遭遇物理極限。目前，IBM的研究人員表示，憑借重要的工程突破，碳納米管晶體管替代硅晶體管未來將成為現(xiàn)實(shí)。
碳納米管有著良好的電特性和熱特性，從理論上來說可以成為電路的基礎(chǔ)，并帶來更快的速度和更好的能效。不過，生產(chǎn)基于碳納米管晶體管的商用設(shè)備面臨著制造方面的多重挑戰(zhàn)。此次，IBM的研究人員解決了其中一項(xiàng)挑戰(zhàn)：如何將碳納米管與金屬觸點(diǎn)進(jìn)行連接。IBM的研究人員改變了1個碳納米管和2個金屬觸點(diǎn)之間的界面。在制造碳納米管晶體管時(shí)，傳統(tǒng)做法是在碳納米管上進(jìn)行金屬觸點(diǎn)沉積。而目前，IBM的研究人員將金屬觸點(diǎn)置于碳納米管的底部，通過反應(yīng)形成不同的化合物。通過這種方式，IBM的研究人員證明，尺寸小于10納米的金屬觸點(diǎn)不會影響碳納米管的性能。
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