市場調研機構ICInsights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創新高的原因都是由于價格瘋漲。該機構預計，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長2%，閃存出貨量增長對存儲器銷售額創新高雖然是正面作用，但并非主要原因。
存儲器價格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價格都持續向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價格季度平均增長率為16.8%，NAND閃存價格季度平均增長率為11.6%。
下半年存儲器漲勢迎拐點，但2017年全年價格漲幅仍十分可觀
從2016年第三季度DRAM平均售價瘋漲開始，DRAM制造商又開始步入加碼投資周期，不過這一輪DRAM廠商投資大部分都花在了升級技術方面，并沒有盲目擴充產能。
ICInsights判斷，2017年閃存廠商絕大部分資本支出都投入在3DNAND工藝技術上。為提升其位于韓國平澤市巨型新工廠的產能，2017年三星在NAND閃存上的資本支出將同比大幅上升。
從歷史數據來看，價格上漲周期帶來的投資擴產沖動，通常會造成產能過剩，產能過剩程度越高，將來價格下跌也會越猛烈。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/閃迪、武漢新芯/長江存儲，以及可能出現的中國資本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的3DNAND生產計劃，未來幾年3DNAND閃存產能出現過剩的概率非常高。
ICInsights收集的數據顯示，DRAM的平均售價增長率峰值出現在2016年第四季度，但直到2017年第二季度，漲勢都很強勁。該機構預測，2017年第三季度DRAM價格還能維持些許漲勢，但第四季度將出現微跌，標志這輪漲價周期即將終結。
雖然2017年下半年DRAM漲勢趨緩，但ICInsights預計全年漲幅仍將達63%，這是自該機構從1993年開始追蹤DRAM市場數據以來的最高漲幅，此前記錄是1997年的57%。
NAND閃存2017年價格漲幅也將創紀錄地達到33%。不過，在2000年，NOR型閃存還主導市場時，其平均售價一年漲幅達到了52%。
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