近年來我國(guó)一直在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，而存儲(chǔ)器芯片是其中最熱門的重點(diǎn)關(guān)注領(lǐng)域之一。作為集成電路的三大品類之一，存儲(chǔ)器芯片廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、消費(fèi)電子、智能終端和固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)器芯片就像糧食一樣不可或缺。

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH和NOR FLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH。其中DRAM市場(chǎng)上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達(dá)到90%以上。

AI存儲(chǔ)器商機(jī)可期 傳三星擬大幅增產(chǎn)DRAM

專為高效能AI（人工智能）處理器與服務(wù)器打造的3D堆疊DRAM，傳三星計(jì)劃增產(chǎn)三十倍。

3D堆疊DRAM采用硅穿孔（Through Silicon Via）技術(shù)，可將DRAM芯片垂直堆疊，由于進(jìn)出通道加寬，傳輸速度也大幅加快。

韓國(guó)媒體ETnews引述產(chǎn)業(yè)消息報(bào)導(dǎo)指出，三星最近向設(shè)備供應(yīng)商訂購(gòu)新型20臺(tái)熱壓接合封裝機(jī)（TCB），這是硅穿孔技術(shù)的必要設(shè)備，且按理來說，新機(jī)具產(chǎn)出是原有機(jī)臺(tái)的八倍。

新TCB機(jī)臺(tái)今年底可就定位，預(yù)估屆時(shí)三星硅穿孔制程產(chǎn)能將可增加三十倍之多。

英特爾與Nvidia現(xiàn)均朝AI積極發(fā)展，也都是三星潛在客戶群。除此之外，日前有消息指出蘋果正在開發(fā)AI專屬芯片，將用以處理臉部與語音識(shí)別等工作，可應(yīng)用于iPhone與iPad等裝置，三星顯然已嗅到這股AI存儲(chǔ)器的新商機(jī)就在不遠(yuǎn)處。

美光力拼13納米DRAM、SK海力士沖刺18納米

三星電子制程領(lǐng)先，率先量產(chǎn)18納米DRAM，把同業(yè)拋在腦后。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。

外媒報(bào)道，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對(duì)手1~2年，2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM，計(jì)劃今年下半年推進(jìn)至15納米。研究機(jī)構(gòu)估計(jì)，今年底為止，三星打算把18納米DRAM的生產(chǎn)比重，提高至30%。業(yè)界人士說，三星會(huì)以利潤(rùn)優(yōu)先，不會(huì)擴(kuò)產(chǎn)搶市，打亂價(jià)格。

三星一馬當(dāng)先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計(jì)劃未來兩三年砸下20億美元，研發(fā)13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠增設(shè)無塵室設(shè)備，并購(gòu)買了多項(xiàng)高價(jià)生產(chǎn)儀器。進(jìn)入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM。

與此同時(shí)，SK海力士也準(zhǔn)備在今年下半年量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動(dòng)設(shè)備用的18納米DRAM。SK海力士會(huì)優(yōu)先提高21納米制程良率，之后轉(zhuǎn)進(jìn)20納米、再轉(zhuǎn)向18納米。SK海力士人員透露，該公司正在研發(fā)1y DRAM制程，但是還不確定量產(chǎn)時(shí)間。

在此之前，三星電子的韓國(guó)華城廠(Hwaseong)，即將擴(kuò)產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資3萬億韓元(約26.4億美元)提升DRAM產(chǎn)能。不過由于未來11線不再生產(chǎn)DRAM，產(chǎn)能一增一減之下，應(yīng)該不至于沖擊DRAM供給。

韓媒曾報(bào)導(dǎo)，業(yè)界消息指出，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門將擴(kuò)充華城廠17線的DRAM產(chǎn)能，生產(chǎn)10納米等級(jí)的DRAM。三星已告知設(shè)備廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，并在三月份向部分業(yè)者下單，估計(jì)投資金額約為2.5萬億~3萬億韓元，完工后每月增產(chǎn)3.5萬片300公厘的硅晶圓，預(yù)定今年下半初步生產(chǎn)。

三星華城廠為綜合晶圓廠，17線生產(chǎn)DRAM、11線生產(chǎn)圖像傳感器和DRAM、16-2線生產(chǎn)3D NAND Flash、S3線生產(chǎn)10納米系統(tǒng)半導(dǎo)體。如今11線將轉(zhuǎn)為全數(shù)生產(chǎn)圖像傳感器CMOS和CIS，不再生產(chǎn)DRAM。三星為了彌補(bǔ)產(chǎn)能損失，決定擴(kuò)大17線的DRAM產(chǎn)能。相關(guān)人士表示，此一投資是為了彌補(bǔ)11線產(chǎn)能縮減和制程微縮損失，對(duì)DRAM供需幾乎沒有影響。