三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報，營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%，其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門，也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時至今日，DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解，現(xiàn)在還是供不應(yīng)求，好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能，其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠，下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。

三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工，那個是針對NAND閃存的，主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAND閃存。而在DRAM領(lǐng)域，三星也有新的投資計劃，韓國ETNews報道稱三星已經(jīng)通知設(shè)備供應(yīng)商要擴(kuò)大韓國華城市（Hwasung）的Line 17工廠，預(yù)計投資在2.5萬億到3萬億韓元之間，約合22-26.4億美元。

以300mm晶圓計算，擴(kuò)建之后每月產(chǎn)能將提升3.5萬片晶圓，目前的產(chǎn)能約為4萬片晶圓/月。

三星這次擴(kuò)展Line 17工廠產(chǎn)能的主力產(chǎn)品是10nm級DRAM內(nèi)存，預(yù)計下半年加速生產(chǎn)。注意這里說的是10nm-Class，目前來說應(yīng)該是18nm工藝的產(chǎn)品了，三星去年宣布量產(chǎn)18nm工藝，之后還會陸續(xù)推出17nm、16nm工藝的DRAM芯片。

PS：三星投資擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能是件好事，考慮到他們是全球最大的DRAM供應(yīng)商，三星此舉有助于推動DRAM市場供應(yīng)平衡，雖然說DRAM再度降價還是很遙遠(yuǎn)的事。另外，隨著紫光公司巨資建設(shè)晶圓廠，國內(nèi)廠商介入NAND、DRAM領(lǐng)域也為期不遠(yuǎn)了，盡管他們與三星、SK Hynix等巨頭還有很大差距，不過這對市場來說是個利好，多點(diǎn)競爭總是好事。